CN112285953A 一种光纤mems可调谐滤波器及其制作方法 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112285953A

(43)申请公布日2021.01.29

(21)申请号202011392827.3

(22)申请日2020.12.03

(71)申请人南京信息工程大学

地址210044江苏省南京市江北新区宁六

路219号

(72)发明人葛益娴沈令闻张鹏顾钦顺

(74)专利代理机构南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)32238

代理人张立荣杭清涛

(51)Int.CI.

GO2F1/01(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种光纤MEMS可调谐滤波器及其制作方法

(57)摘要

CN112285953A本发明公开了一种光纤MEMS可调谐滤波器及其制作方法，包括光纤和敏感元件，敏感元件从上至下依次包括上DBR反射镜、多晶硅介质膜、下DBR反射镜和氮化硅，上DBR反射镜上设有金属电阻，上述金属电阻包括加热电阻和测温电阻，光纤包括入射光纤和出射光纤，对称设于敏感元件两侧，入射光纤设于上DBR反射镜一侧，出射光纤设于下DBR反射镜一侧，出射光纤固定在硅衬底上，且入射光线和出射光纤在一条直线上，上DBR反射镜、多晶硅介质膜和下DBR反射镜构成法布里-珀罗腔，通过加热电阻的直接加热改变多晶硅介质膜的折射率，改变入射光光程，实现对光的调谐滤波。本发明具有可批量生产、体积小、

CN112285953A

CN112285953A权利要求书1/1页

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1.一种光纤MEMS可调谐滤波器，其特征在于，包括光纤和敏感元件，所述敏感元件从上至下依次包括上DBR反射镜(3.1)、多晶硅介质膜(4)、下DBR反射镜(3.2)和氮化硅(5),所述上DBR反射镜(3.1)上设有金属电阻，上述金属电阻包括加热电阻(7)和测温电阻(8),所述光纤包括入射光纤(1)和出射光纤(2),对称设于所述敏感元件两侧，所述入射光纤(1)设于所述上DBR反射镜(3.1)一侧，出射光纤(2)设于所述下DBR反射镜(3.2)一侧，出射光纤(2)固定在硅衬底(6)上，且入射光线和出射光纤(2)在一条直线上，所述上DBR反射镜(3.1)、多晶硅介质膜(4)和下DBR反射镜(3.2)构成法布里-珀罗腔，通过加热电阻(7)的直接加热改变多晶硅介质膜(4)的折射率，改变入射光光程，实现对光的调谐滤波。

2.根据权利要求1所述的光纤MEMS可调谐滤波器，其特征在于，所述上DBR反射镜(3.1)和下DBR反射镜(3.2)都具有四层结构，分别由交替布设的SiO2介质膜和Poly-Si/

SiO?的介质膜组成，上DBR反射镜(3.1)和下DBR反射镜(3.2)与所述多晶硅介质膜(4)相接触的都是SiO?介质膜。

3.根据权利要求2所述的光纤MEMS可调谐滤波器，其特征在于，所述Si02介质膜和Poly-Si/SiO2的介质膜均采用低压化学气相淀积LPCVD生长制作，每层的光学厚度为四分之一的入射波长。

4.根据权利要求1所述的光纤MEMS可调谐滤波器，其特征在于，所述多晶硅介质膜

(4)的光学厚度为半波长。

5.根据权利要求1所述的光纤MEMS可调谐滤波器，其特征在于，所述，金属电阻有四条，两条为加热电阻(7),两条为测量温度电阻。

6.一种光纤MEMS可调谐滤波器的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1,在表面抛光的硅衬底(6)的上面热氧化，用低压化学气相淀积法LPCVD在所述硅衬底(6)的上面淀积一层氮化硅(5);

步骤2,用低压化学气相淀积LPCVD依次生长Poly-Si/SiO?的介质膜和SiO?介质膜，并重复一次，形成下DBR反射镜；

步骤3,在下DBR反射镜上用LPCVD方法生长多晶硅介质膜(4),为Fabry-Perot腔；

步骤4,用LPCV在多晶硅介质膜(4)上分别生长SiO?介质膜和Poly-Si/SiO?的介质膜，并重复一次，形成上DBR反射镜；

步骤5,光刻掩膜硅衬底(6)的背面，用深RIE刻蚀未被掩膜的硅衬底(6),去除硅衬底(6)上多余的光刻胶；

步骤6,在上DBR反射镜上固定4个电阻，其中两个为加热电阻(7),另外两个为测温电