CN113838914A 具有分离栅结构的ret igbt器件结构及制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113838914A

(43)申请公布日2021.12.24

(21)申请号202111116107.9

(22)申请日2021.09.23

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

申请人电子科技大学广东电子信息工程研究院

(72)发明人张金平i肖翔尹俊博张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232代理人敖欢

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

HO1L29/739(2006.01)

HO1LHO1L

21/28(2006.01)

21/331(2006.01)

权利要求书4页说明书11页附图12页

(54)发明名称

具有分离栅结构的RETIGBT器件结构及制作方法

(57)摘要

CN113838914A本发明提供一种具有分离栅结构的RETIGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入N型漂移区，不会影响器件的通态特性。本发明通过将栅电极分裂为上下两部分，上部分作为栅极，下部分与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc,进而降低了开关损耗。同时，分离栅底部的氧化层厚度可以进一步提高，或使用高介电常数的介质材料，可以改善沟槽底部电场集中，提升器件的可靠性。当器件关断时PMOS

CN113838914A

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1

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3

16

16

N-

N

P+

CN113838914A权利要求书1/4页

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1.一种具有分离栅结构的RETIGBT器件结构，包括：从下至上依次层叠设置的集电极金属(1)、P型集电区(2)、N型场阻止层(3)和N-漂移区(4),位于N-漂移区(4)上方的沟槽栅结构和沟槽发射极结构，所述沟槽栅结构包括分离栅介质层(6)、分离栅介质层(6)上方的分离栅电极(17)、分离栅电极(17)上方的栅介质层(18)、栅介质层(18)内的多晶硅栅电极(7)、多晶硅栅电极(7)上方的隔离介质层(10),所述沟槽发射极结构包括沟槽发射极介质层(14)、沟槽发射极介质层(14)内的多晶沟槽发射电极(15);

其特征在于：所述N-漂移区(4)上方的沟槽栅结构和沟槽发射极结构之间具有N型埋层(16)、与N型埋层(16)接触的P型埋层(12);所述N型埋层(16)与P型埋层(12)上部具有N型电荷存储层(13);所述N型电荷存储层(13)上部具有P型基区(5);所述P型基区(5)上部具有N+发射区(8)与P+接触区(9);所述隔离介质层(10)上部、N+发射区(8)上部、P+接触区(9)上部、沟槽发射极结构上部具有发射极金属(11),所述发射极金属(11)一部分嵌入到P型基区(5)和沟槽发射极结构中；所述分离栅电极(17)、多晶沟槽发射电极(15)与发射极金属(11)等电位；所述多晶硅栅电极(7)通过栅介质层(18)与N型电荷存储层(13)、P型基区(5)、N+发射区(8)相连；所述分离栅电极(17)通过分离栅介质层(6)与N-漂移区(4)、N型埋层(16)相连；所述多晶沟槽发射电极(15)通过沟槽发射极介质层(14)与N-漂移区(4)、P型埋层(12)、N型电荷存储层(13)、P型基区(5)、P+接触区(9)相连；所述多晶硅栅电极(7)的深度超过P型基区(5)的深度；所述沟槽发射极结构与沟槽栅结构的深度大于N型埋层(16)或P型埋层(12)的结深；所述N型埋层(16)的厚度等于P型埋层(12)的厚度；所述分离栅介质层(6)、沟槽发射极介质层(14)的厚度大于栅介质层(18)的厚度；所述P型埋层(12)的掺杂浓度大于或等于P型基区(5)的掺杂浓度；所述P型埋层在器件击穿前不能全部耗尽；所述N型埋层(16)的宽度能形成电子导电沟道即可。

2.根据权利要求1所述的一种具有分离栅结构的RETIGBT器件结构，其特征在于：所述多晶沟槽发射电极(15)包括P型掺杂多晶硅电极(151)、P型掺杂多晶硅电极(151)下方的N型掺杂多晶硅电极(152),所述