CN113838918A 具有载流子浓度增强的超结igbt器件结构及制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN113838918A布日2021.12.24

(21)申请号202111116215.6

(22)申请日2021.09.23

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

申请人电子科技大学广东电子信息工程研

究院

(72)发明人张金平肖翔涂元元张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所

(普通合伙)51232代理人敖欢

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/739(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

权利要求书3页说明书8页附图11页

(54)发明名称

具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法

(57)摘要

CN113838918A本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区的引入减小了器件的

CN113838918A

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P+N+9

P

N

N

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CN113838918A权利要求书1/3页

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1.一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，包括：从下至上依次层叠设置的集电极金属(1)、P型集电区(2)、N型场阻止层(3),N型场阻止层(3)上方设有超结N柱(5)、和超结N柱(5)接触的超结P柱(4),位于超结N柱(5)上方的第一沟槽结构，所述第一沟槽结构包括栅介质层(6)、栅介质层(6)内部的栅电极(7);

其特征在于：超结P柱(4)上方具有P型浮空区(13),所述超结N柱(5)上部具有P型基区(8);P型基区(8)位于沟槽结构左侧，P型浮空区(13)位于沟槽结构右侧，所述P型基区(8)上部具有N+发射区(9)与P+接触区(10);所述栅介质层(6)、栅电极(7)和P型浮空区(13)上方具有栅隔离介质层(11);所述栅隔离介质层(11)上部、N+发射区(9)上部、P+接触区(10)上部具有发射极金属(12);所述栅电极(7)通过栅介质层(6)与超结N柱(5)、P型基区(8)、N+发射区(9)相连；所述栅电极(7)的深度大于P型基区(8)的结深；所述P型浮空区(13)的深度与P型基区(8)的深度相等；所述P型浮空区(13)的掺杂浓度与P型基区(8)的掺杂浓度相等；所述P型浮空区(13)的宽度大于超结P柱(4)的宽度。

2.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：P型浮空区(13)的深度超过第一沟槽结构的深度。

3.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在P型基区(8)下方的超结N柱(5)内引入N型电荷存储层(17),所述N型电荷存储层(17)的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层(17)的浓度超过超结N柱的浓度。

4.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在超结N柱(5)、超结P柱(4)两者与N型场阻止层(3)之间引入N-漂移区(14),所述N-漂移区

(14)的掺杂浓度低于超结N柱(5)的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：包括分离栅结构，所述分离栅结构位于栅电极(7)下方，包括分离栅介质层(15)、分离栅介质层(15)内的分离栅电极(16);分离栅电极(16)上方具有栅介质层(6)、栅介质层(6)上方具有栅电极(7);所述分离栅电极(16)与发射极金属(12)等电位。

6.根据权利要求5所述一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构，其特征在于：在P型基区(8)下方的超结N柱(5)内引入N型电荷存储层(17);所述N型电荷存储层(17)的结深小于第一沟槽结构的深度，所述N型电荷存储层(17)的掺杂浓度大于超结N柱的掺杂