CN111640817B 一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法 （北京科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111640817B公告日2021.06.11

(21)申请号202010387066.6

(22)申请日2020.05.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111640817A

(43)申请公布日2020.09.08

(73)专利权人北京科技大学

地址100083北京市海淀区学院路30号

(72)发明人彭铭曾郑新和卫会云

(74)专利代理机构北京市广友专利事务所有限

责任公司11237代理人张仲波

(51)Int.CI.

HO1L31/11(2006.01)

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

B82Y15/00(2011.01)

(56)对比文件

US2015090043A1,2015.04.02

GustavoA.SaenzETAL.Ultra-high

PhotoresponsivityinSuspendedMetal-

Semiconductor-MetalMesoscopicMultilayerMoS2BroadbandDetectorfromUV-to-IR

withLowSchottkyBarrierContacts.《SCIENTIfICREPORTS》.2018,

TaiyuJinetal.Suspendedsingle-layerMoS2devices.《JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS》.2013,

审查员赵琳捷

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法

(57)摘要

CN111640817B本发明提供一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法，该悬空横向双异质结光探测器包括：绝缘基底、支撑结构、第一电极、第二电极和由二维材料制成的二维结构；其中，支撑结构设置在绝缘基底上，第一电极和第二电极设置在支撑结构上；二维结构附着于支撑结构材料之上，按照二维结构与支撑结构的接触情况，分为第一接触区、第二接触区和悬空区；其中，在第一接触区和第二接触区处形成异质结。本发明利用悬空横向双异质结对光的吸收与光电转换特性进行光探测应用，制作方法简单易行，无需在二维材料表面上制作电极；一方面降低了高精度光刻的对准难度和制作成本；另一方面也避免了电

CN111640817B

CN111640817B权利要求书1/1页

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1.一种悬空横向双异质结光探测器，其特征在于，包括：绝缘基底、支撑结构、第一电极、第二电极以及由二维材料制成的二维结构；其中，

所述支撑结构设置在所述绝缘基底上，所述第一电极和所述第二电极设置在所述支撑结构上；所述二维结构附着于所述支撑结构之上，按照所述二维结构与所述支撑结构之间的接触情况，所述二维结构分为第一接触区、第二接触区以及悬空区；其中，在所述第一接触区和所述第二接触区处分别形成异质结；

所述第一接触区和所述第二接触区形成的异质结为nn和pp同型异质结或者np和pn反型异质结。

2.如权利要求1所述的悬空横向双异质结光探测器，其特征在于，所述绝缘基底的材质为蓝宝石、碳化硅、氮化铝、氮化镓、磷化铟、砷化镓、氧化硅、硅或者金刚石中的任意一种。

3.如权利要求1所述的悬空横向双异质结光探测器，其特征在于，所述支撑结构的材质为GaN基、GaP基、GaAs基二元、三元、四元或多元材料，或者Zn0基、ZnS基、ZnSe基二元、三元、四元或多元材料，或者CdS基、CdSe基、CdTe基二元、三元、四元或多元材料中的任意一种；所述支撑结构的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂，且其为具有微纳结构的非平层材料。

4.如权利要求1所述的悬空横向双异质结光探测器，其特征在于，所述二维材料为过渡金属硫族化合物、黑磷、石墨烯、第IV族单质二维材料、第V族单质二维材料、第III-V族二维材料、第III-VI族二维材料或第IV-VI族二维材料中的任意一种。

5.如权利要求1所述的悬空横向双异质结光探