CN111403281A 一种半导体器件电极的制作方法及半导体欧姆接触结构 （南方科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111403281A

(43)申请公布日2020.07.10

(21)申请号202010207017.X

(22)申请日2020.03.23

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人于洪宇蒋玉龙范梦雅

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

代理人孟金喆潘登

(51)Int.CI.

H01L21/335(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L29/417(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种半导体器件电极的制作方法及半导体欧姆接触结构

(57)摘要

CN111403281A本发明实施例公开了一种半导体器件电极的制作方法及半导体欧姆接触结构。该半导体器件电极的制作方法包括：在AlGaN(InA1N)/GaN外延片上形成光刻胶图案，图案定义出源漏极欧姆电极图案；通过在外延片具有光刻胶图案的一侧依次形成TaxAly合金金属层和Au金属层；其中，x0且y≥0;去除光刻胶以及光刻胶上的合金与金属，形成源漏极欧姆电极图案；对形成有源漏极欧姆电极图案的外延片进行热退火工艺处理；本发明实施例的技术方案，解决了在达到低欧姆接触电阻值的情况下，无法同时兼顾欧姆电极的表面形貌以及边缘敏锐度的问题，实现了在降低欧姆接触阻值的大小时，兼顾改善欧姆电极的表面粗糙程度及边缘敏锐度，从而提高GaN半导体器件的输出特性、热稳定性和器件良率，进而更

CN111403281A

S100

S300

S400~

在A1GaN(InAIN)/GaN外延片上形成光刻胶图案，

图案定义出源漏极欧姆电极图案

在外延片具有光刻胶图案的一侧依次形成TaxAly合金金属层和Au金属层；其中，x0且y≥0

去除光刻胶以及光刻胶上的合金与金属，形成源漏极欧姆电极图案

对形成有源漏极欧姆电极图案的外延片进行热退火工艺处理

CN111403281A权利要求书1/1页

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1.一种半导体器件电极的制作方法，其特征在于，包括：

在AlGaN(InAlN)/GaN外延片上形成光刻胶图案，所述图案定义出源漏极欧姆电极图案；

在所述外延片具有所述光刻胶图案的一侧依次形成TaxAly合金金属层和Au金属层；其中，x0且y≥0;

去除光刻胶以及所述光刻胶上的合金与金属，形成所述源漏极欧姆电极图案；

对形成有所述源漏极欧姆电极图案的所述外延片进行热退火工艺处理。

2.根据权利要求1所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，所述在所述外延片具有所述光刻胶图案的一侧依次形成TaxAly合金金属层和Au金属层包括：

在所述外延片具有所述光刻胶图案的一侧，利用磁控溅射工艺依次形成所述TaxAly合金金属层和所述Au金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，所述TaxAly合金金属层和所述Au金属层的厚度为20nm-200nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，所述热退火的气体氛围包括氮气、氨气、氮氢混合气体或氢氩混合气体。

5.根据权利要求4所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，所述热退火的温度为700℃-1000℃;所述热退火的时间为10s-100s。

6.根据权利要求1所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，在所述在AlGaN(InAlN)/GaN外延片上形成光刻胶图案，所述图案定义出源漏极欧姆电极之前还包括：

依次使用丙酮和异丙醇对所述外延片进行表面清洁处理。

7.根据权利要求1所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，在所述在所述外延片具有所述光刻胶图案的一侧依次形成TaxAly合金金属层和Au金属层之前还包括：去除所述外延片具有所述光刻胶图案的一侧的表面氧化物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件电极的制作方法，其特征在于，所述去除光刻胶以及所述光刻胶上的合金与金属，形成所述源漏极欧姆电极图案包括：

将在具有所述光刻胶图案的一侧依次形成有所述TaxAly合金金属层和所述Au金属层的所述外延片，以有机溶剂70℃-90℃水浴浸没的方法去除所述光刻胶以及所述光刻胶上的