CN111446620A 基于离子植入的垂直腔表面发射激光器、阵列和制作方法 （北京金太光芯科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111446620A

(43)申请公布日2020.07.24

(21)申请号202010551420.4

(22)申请日2020.06.17

(71)申请人北京金太光芯科技有限公司

地址100006北京市东城区王府井大街

218-1号B4层A407

(72)发明人方照诒郭浩中潘德烈

(74)专利代理机构北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙)11367

代理人李佳佳

(51)Int.CI.

H01S5/183(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

基于离子植入的垂直腔表面发射激光器、阵列和制作方法

(57)摘要

CN111446620A本发明提供一种基于离子植入的垂直腔表面发射激光器、阵列和制作方法，所述垂直腔表面发射激光器包括多层结构，所述多层结构至少依次包括基底(10)、基底(10)上方的第一镜层(20)、第一镜层(20)上方的主动区(30)以及主动区(30)上方的第二镜层(40),所述垂直腔表面发射激光器还包括：离子层(60),离子层(60)是将离子从第二镜层(40)的上表面植入到主动区(30)的上方或者植入到主动