基于二维半导体Bi2TeS2的场效应管模拟研究.pdfVIP

摘要

新兴的二维材料作为场效应管沟道的替代选择，有望解决了传统硅基材料在

微型化过程中的短沟道效应问题，为后摩尔时代的集成电路发展提供了关键支

持。本文针对二维半导体BiTeS的场效应晶体管性能展开系统性研究，探索其

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在高性能与低功耗电子器件中的应用潜力。通过第一性原理计算与量子输运模拟

结合，阐明了该材料的本征特性及其在纳米尺度器件中的性能优势，为新型二维

半导体器件研发提供理论依据。

（1）二维材料基本特性方面，研究采用密度泛函理论对单层BiTeS进行结

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构优化，发现其具有独特的S-Bi-Te-Bi-S层状构型，平衡晶格常数为4.17Å，有

效厚度达10.50Å。300K下具有良好的热力学稳定性，通过声子谱分析证实材料

动态稳定性，Born准则验证其力学稳定性。电子结构计算表明，带隙为1.01eV，

覆盖近红外吸收谱段。理论载流子迁移率展现出显著各向异性，电子迁移率高达

2-1-12-1-1

到26653cm·V·s，考虑电声耦合的电子迁移率为811cm·V·s，显著优于传

统二维半导体（如MoS）。光学特性研究发现，单层BiTeS在近红外波段具

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有超过30%的光吸收率。这些特性为新型电子器件的研发提供了极具价值的材

料选择，尤其在场效应管领域展现出巨大应用潜力。

（2）器件设计层面，研究采用非平衡格林函数与密度泛函理论结合方法，

设计双栅极n/p型单层BiTeSMOSFET器件模型。通过系统研究7nm至亚5nm

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栅长范围的输运特性，评估器件关键参数与国际器件与系统路线图（IRDS）的

技术对标。实验表明：采用UL=2、g=7nm的y向n型器件表现出卓越高频性

能，导通电流达6199µA/µm（超IRDSHP标准5.7倍），亚阈值摆幅78mV/dec

与功率延迟积0.219fJ/µm逼近基准值，适用于高算力场景。对比分析显示，UL=0

配置仍维持2549µA/µm电流输出，但亚阈值摆幅增至129mV/dec。在低功耗优

化方面，UL=4、=7nm的x方向器件实现突破性进展：亚阈值摆幅降至51

g

mV/dec，以及0.081fJ/µm的功率延迟积彰显其超低功耗特性。同参数y方向器

件获得1032µA/µm导通电流（SS=70mV/dec），更适应常规性能需求场景。

研究揭示栅长缩减至5nm会劣化亚阈值特性，但y方向结构具有更高载流密度

优势。与IRDS对比显示3-5nm栅长在保持能效前提下，可显著提升电流驱动能

力，验证其在高效集成电路中的应用潜力。

关键词：二维半导体；BiTeS；场效应管；量子输运模拟；载流子迁移率；第

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一性原理

Abstract

Emergingtwo-dimensional(2D)materialsasalternativechannelmaterialsfor

field-effecttransistors(FETs)holdpromiseforaddressingshort-channeleffectsin

traditionalsilicon-basedmaterialsduringminiaturization,providingcriticalsuppor