基于声发射技术的SIC MOSFET应力波检测研究.pdfVIP

摘要

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碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）是一种广泛应用于高

功率、高温和高效率电力电子设备的半导体器件。由于其在电力转换、驱动系统等领

域的突出性能，SiCMOSFET已经在新能源汽车、电力变换器、风能、太阳能等多个

领域得到了应用。可靠性状态检测对于SiCMOSFET的性能和寿命具有重要意义。

本文基于声发射技术对SiCMOSFET开关诱导的应力波检测和可靠性检测方法进行

了研究。主要研究内容如下：

（1）利用电-热-力多物理场耦合仿真研究了SiCMOSFET各物理场之间的关系。

首先，基于COMSOL软件建立了SiCMOSFET的三维电-热-力多物理场耦合仿真模

型，通过有限元分析研究了SiCMOSFET在不同电流输入下的温度分布和热应力分

布情况。研究表明，SiCMOSFET在工作过程中，温度和应力的分布存在一定规律，

且电流输入对温度和应力场的影响是显著的，特别是在器件的开通和关断过程，温度

和应力的波动尤为明显。

（2）为了实现实时监测和无损检测，论文进一步提出并搭建了基于声发射技术

的SiCMOSFET应力波检测平台。通过设计双脉冲电路激励SiCMOSFET开关诱导

产生的应力波信号，利用声发射传感器检测其开关过程中的机械应力波信号。研究发

现，SiCMOSFET在不同工作状态下，机械应力波的特征参数（如幅值、频率等）具

有显著变化，且与SiCMOSFET的电气参数紧密相关。分析实验结果发现传感器介

质、漏极电压、驱动信号脉宽等激励因素都会影响SiCMOSFET开关诱导产生的应

力波信号。利用时域、频域和时频域等信号处理方法，能够有效提取应力波的特征，

进而评估器件的可靠性。

（3）通过对实验平台的验证，本文证明了该声发射检测平台在低压条件下能够

成功捕捉到SiCMOSFET开关过程中诱导产生的应力波信号，结合仿真结果与实验

数据，论文总结了电-热-力多物理场耦合仿真与声发射技术相结合的优势，认为该方

法为SiCMOSFET及其他功率器件的可靠性监测提供了一种新的思路，具有广泛的

应用前景。同时，通过对芯片不同工作条件和不同可靠性状态下采集到的应力波信号

进行研究，论文总结了各种工作条件下，外部激励因素对应力波信号的影响以及不同

可靠性状态下，应力波特征参数与老化情况的相对关系，为未来电力电子设备的可靠

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摘要

性监测提供了理论支持和实验依据。

关键词：SiCMOSFET；声发射；状态检测；有限元分析；应力波

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Abstract

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Siliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfield-effecttransistor(SiCMOSFET)isa

kindofsemiconductordevicewidelyusedinhigh-power,high-temperatureand

high-efficiencypowerelectronicequipment.Duetoitsoutstandingperformanceinfields

suchaspowerconversionanddrivesystems,SiCMOSFETshavebeenappliedinmultiple

areasincludingnewenergyvehicles,powerconverters,windenergy,andsolarenergy.

HealthstatusdetectionisofgreatsignificancefortheperformanceandlifespanofSiC

MOSFETs.Thispaperstudiesthestresswave