CN110854355A 一种复合电极及其制作方法、电池 （新奥科技发展有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110854355A

(43)申请公布日2020.02.28

(21)申请号201810953577.2

(22)申请日2018.08.21

HO1M4/58(2010.01)

HO1M4/62(2006.01)

HO1M10/054(2010.01)

(71)申请人新奥科技发展有限公司

地址065001河北省廊坊市廊坊开发区广

阳道北

(72)发明人范卫超王俊明孟垂舟朱晓军房金刚

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274

代理人周娟

(51)Int.CI.

HO1M4/04(2006.01)

H01M4/1397(2010.01)

HO1M4/136(2010.01)

H01M4/36(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种复合电极及其制作方法、电池

CN110854355

CN110854355A

(57)摘要

本发明公开一种复合电极及其制作方法、电池，涉及电池技术领域，以抑制电池在充放电过程中的容量衰减。所述复合电极的制作方法包括提供过渡金属基底；采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层。所述复合电极应用上述复合电极的制作方法。本发明提供的复合电极及其制作方法、电池用于抑制电池充放电过程中的容量衰减。

S100

提供过渡金属基底

S200

对过渡金属基底进行酸洗直到过渡金属基底的表面产生气泡

S300

采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层

S400

对过渡金属基底的表面所形成的过渡金属硫化物层进行防腐蚀包覆处理，使得过渡金属硫化物层的表面形成防腐蚀层

CN110854355A权利要求书1/2页

2

1.一种复合电极的制作方法，其特征在于，包括：

提供过渡金属基底；

采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层。

2.根据权利要求1所述的复合电极的制作方法，其特征在于，在所述提供过渡金属基底后，所述采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层前，所述复合电极的制作方法还包括：

对所述过渡金属基底进行酸洗，直到所述过渡金属基底的表面产生气泡。

3.根据权利要求1所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述过渡金属基底所含有的过渡金属与所述渡金属硫化物层所含有的过渡金属相同。

4.根据权利要求1所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述采用气相沉积法在过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物薄膜包括：

在无氧环境下向反应容器内通入硫化氢气体；

将所述过渡金属基底送入通入硫化氢气体的反应容器内；

控制所述反应容器内的硫化氢气体与所述过渡金属基底的表面过渡金属原子发生反应，使得所述过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层。

5.根据权利要求4所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述硫化氢气体的流速为50mL/min-150mL/min。

6.根据权利要求4所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述控制所述反应容器内的硫化氢气体与所述过渡金属基底的表面过渡金属原子发生反应，使得所述过渡金属基底的表面形成过渡金属硫化物层包括：

控制所述反应容器将所述过渡金属基底加热至400℃~700℃;

所述反应容器内的硫化氢气体与所述过渡金属基底的表面所含有的过渡金属原子在400℃~700℃进行反应，获得形成在所述过渡金属基底的表面的过渡金属硫化物层；

将表面形成过渡金属硫化物层的所述过渡金属基底进行真空干燥。

7.根据权利要求6所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述控制所述反应容器将所述过渡金属基底加热至400℃~700℃包括：

控制所述反应容器将所述过渡金属基底按照200℃/h～600℃/h的升温速率升温至400℃~700℃。

8.根据权利要求1～7任一项所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述过渡金属基底为泡沫型过渡金属基底，所述泡沫型过渡金属基底的孔隙率为20%～97%。

9.根据权利要求1～7任一项所述的复合电极的制作方法，其特征在于，所述过渡金属基底所含有的过渡金属为镍、钴、铁、铜中的一种或多种，所述过渡金属硫化物层所含有的过渡金属为镍、钴、铁、铜中的一种或多种。

10.根据权利要求1～7任