CN109724943A 不对称单锥结构光纤传感器及其制作方法 （北京信息科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109724943A

(43)申请公布日2019.05.07

(21)申请号201811615901.6

(22)申请日2018.12.27

(71)申请人北京信息科技大学

地址100085北京市海淀区清河小营东路

12号

(72)发明人祝连庆郝家祺张雯何巍董明利娄小平宋言明

(74)专利代理机构北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙)11468

代理人陈朝阳

(51)Int.CI.

GO1N21/41(2006.01)

G01B11/16(2006.01)

GO2B6/255(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图2页

(54)发明名称

不对称单锥结构光纤传感器及其制作方法

(57)摘要

CN109724943A本发明公开了一种不对称单锥结构光纤传感器，包括第一光纤区、第二光纤区和锥区，第一光纤区、第二光纤区和锥区为同一根单模光纤的不同部分，且锥区位于所述第一光纤区和第二光纤区之间，所述锥区包括第一锥区和第二锥区，第一锥区一端与所述第一光纤区连接，另一端与第二锥区连接，第二锥区末端与所述第二光纤区连接；所述第一锥区和第二锥区长度不同。本发明不对称单锥结构光纤传感器不仅能够采集外界折射率信号，而且具有优良的线性度。本发明

CN109724943A

CN109724943A权利要求书1/1页

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1.一种不对称单锥结构光纤传感器，包括第一光纤区、第二光纤区和锥区，第一光纤区、第二光纤区和锥区为同一根单模光纤的不同部分，且锥区位于所述第一光纤区和第二光纤区之间，其特征在于，所述锥区包括第一锥区和第二锥区，第一锥区一端与所述第一光纤区连接，另一端与第二锥区连接，第二锥区末端与所述第二光纤区连接；所述第一锥区和第二锥区长度不同。

2.如权利要求1所述的一种不对称单锥结构光纤传感器，其特征在于，所述第一锥区长度为25000μm,所述第二锥区长度为16000μm。

3.一种不对称单锥结构光纤传感器的制作方法，其特征在于，方法包括：通过光纤拉锥技术将单模光纤拉锥，形成权利要求1所述的第一光纤区、第二光纤区、第一锥区和第二锥区；其中，第一锥区长度为25000μm,第二锥区长度为16000μm。

CN109724943A说明书1/2页

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不对称单锥结构光纤传感器及其制作方法

[0001]

技术领域

[0002]本发明涉及光纤传感领域，尤其涉及一种不对称单锥结构光纤传感器及其制作方

法。

[0003]

背景技术

[0004]折射率是物质的一种基本属性，在许多工程材料中是非常重要的一个参数，此外它还是工程上测量溶液浓度的重要途径，因而折射率的测量具有重要的实际应用意义。

[0005]折射率的测量装置种类较多，目前常用的有光纤光栅型、迈克尔逊干涉仪型、马赫曾德干涉仪型、萨格纳克干涉仪型和珐布里珀罗干涉仪型，,这些装置的关键在于光纤传感器，光纤传感器具有抗电磁干扰、抗辐射、灵敏度高、重量轻、绝缘防爆、耐腐蚀等特点，且光纤尺寸微小，具有良好的光传输性能。然而，这类光纤传感器的制作过程中，需要利用熔融拉锥法进行拉锥处理，其原理就是通过高温加热、放电加热、大功率激光加热等方法，使得光纤达到烙融状态，并在光纤两边施加相反方向的应力，使受热部位逐渐边长变细的过程。通过控制加热温度、应力的大小，可改变锥区的形状，但是锥区通常较为脆弱，易折断，非轴向力易使结构改变。

[0006]

发明内容

[0007]本发明的目的是提供一种不对称单锥结构光纤传感器及其制作方法，该不对称单锥结构光纤传感器具有优良的线性度。

[0008]为实现上述发明目的，本发明的技术方案是：一种不对称单锥结构光纤传感器，包括第一光纤区、第二光纤区和锥区，第一光纤区、第二光纤区和锥区为同一根单模光纤的不同部分，且锥区位于所述第一光纤区和第二光纤区之间，所述锥区包括第一锥区和第二锥区，第一锥区一端与所述第一光纤区连接，另一端与第二锥区连接，第二锥区末端与所述第二光纤区连接；所述第一锥区和第二锥区长度不同。

[0009]