CN109686805A 硅基高速高响应pin光电探测器及其制作方法 （中电科技集团重庆声光电有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109686805A

(43)申请公布日2019.04.26

(21)申请号201710978970.2

(22)申请日2017.10.19

(71)申请人中电科技集团重庆声光电有限公司地址401332重庆市沙坪坝区西永镇微电

园西永路367号

(72)发明人向勇军张鎏黄烈云

(51)Int.CI.

H01L31/105(2006.01)

H01L31/0352(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图1页

(54)发明名称

硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法

(57)摘要

CN109686805A本发明公开了一种硅基高速高响应PIN光电探测器及其制作方法，本发明的硅基高速高响应PIN光电探测器包括由下至上依次设置的N电极、N+硅外延层衬底、N硅埋层、I(N?)外延层、二氧化硅钝化层和氮化硅保护层，所述I(N-)外延层上部设置有保护环掺杂区，所述保护环掺杂区内设置有P型保护环，所述P型保护环内形成P-有源区和P+有源区。本发明的硅基高速高响应PIN光电探测器解决了现有PIN光电探测器具有的光生载流子的扩散时间长，及探测器的响应速度慢的技术问题。本发明的硅基高速高响应PIN光电探测器的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高速高响应PIN光电探测器，其响应速度快，响

CN109686805A

CN109686805A权利要求书1/1页

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1.一种硅基高速高响应PIN光电探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的N电极(8)、N硅外延层衬底(4)、N#硅埋层(10)、I(N)外延层(1)、二氧化硅钝化层(5)和氮化硅保护层(6),所述I(N)外延层(1)上部设置有保护环掺杂区，所述保护环掺杂区内设置有P型保护环(2),采用离子注入工艺和高温硼扩散工艺相结合在所述P型保护环(2)内形成P有源区(3)和P+有源区(9),所述P型保护环(2)正上方刻蚀出有电极孔，所述电极孔内设置有与P型保护环(2)连接的P电极(7)。

2.根据权利要求1所述的硅基高速高响应PIN光电探测器，其特征在于：所述N电极(8)为Cr/Au双层金属膜；所述P电极(7)为Ti/A1双层金属膜。

3.一种如权利要求1或2中所述硅基高速高响应PIN光电探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用N型硅外延形成N硅外延层衬底(4)、N硅埋层(10)和I(N)外延层(1),其中，外延层(1)的掺杂浓度为(4～6)x1012/cm3,外延层厚度为20±5μm;N硅外延层衬底(4)的掺杂浓度为(1～2)x101?/cm3,厚度为250±10μm;将外延层(1)所在侧的器件端面记为正面，N硅外延层衬底(4)所在侧的器件端面记为背面。

2)采用高温氧化工艺，在器件正面表面形成二氧化硅钝化层(5);

3)采用光刻工艺在器件正面光刻出保护环掺杂区，采用湿法腐蚀工艺将保护环掺杂区范围内的二氧化硅钝化层腐蚀掉；

4)采用高温硼扩散工艺，对保护环掺杂区进行高浓度、深结硼掺杂，获得P型保护环(2);

5)采用光刻工艺在器件正面光刻出有源区，采用湿法腐蚀工艺对有源区范围内的二氧化硅钝化层进行腐蚀；

6)采用离子注入工艺和高温硼扩散工艺相结合，形成P有源区(3)和P+有源区(9);

7)采用高温LPCVD工艺，在器件表面淀积氮化硅保护层(6);

8)采用光刻及湿法腐蚀工艺，在P型保护环(2)正上方刻蚀出电极孔；采用电子束蒸发工艺，在器件正面蒸镀Ti/A1双层金属膜；采用光刻及湿法腐蚀工艺，将电极区域以外的Ti/A1双层金属膜腐蚀掉，形成P电极(7);

9)对器件背面进行减薄抛光；

10)采用电子束蒸发工艺在器件背面蒸镀Cr/Au双层金属膜，形成N电极(8)。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：步骤1)中，N+硅埋层(10)的掺杂浓度为(1～2)×102?/cm3,厚度为5μm。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：步骤6)中，按如下工艺条件进行离子注入和浅结硼掺杂工艺：P+有源区扩散温度为900～1100℃,掺杂浓度为(1～5)×101?/cm3,结深为0.2～0.5μm;P有源区采用离子注入工艺，注入能量