CN109727993B 多阶层立体电路及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109727993B公告日2020.12.15

(21)申请号201711369820.8

(22)申请日2017.12.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109727993A

(43)申请公布日2019.05.07

(30)优先权数据

15/797,9642017.10.30US

(73)专利权人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

(72)发明人江昱维邱家荣

(51)Int.CI.

H01L27/1157(2017.01)

H01L27/11578(2017.01)

H01L27/11524(2017.01)

H01L27/11551(2017.01)

(56)对比文件

WO2016126305A1,2016.08.11US2014048945A1,2014.02.20CN103633043A,2014.03.12

审查员黄金卫

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

公司11021代理人李永叶

权利要求书2页说明书17页附图32页

(54)发明名称

多阶层立体电路及其制作方法

(57)摘要

CN109727993B形成牺牲层叠层于一组N层阶层集合中。在多层叠层集合上形成具有彼此隔离的第一和第二开口的第一刻蚀-修整掩模。在M次刻蚀-修整循环中的每一个中，使用第一刻蚀-修整掩模来蚀穿阶层集合中的二个阶层。当N为奇数时，M为(N-1)/2;当N为偶数时，M为(N/2)-1。当N为偶数时，在单1次刻蚀-修整循环中，使用第一刻蚀-修整掩模来蚀穿阶层集合中的一个阶层。在i从1到T-1的C(i)次刻蚀-修整循环中，对第一刻蚀-修整掩模进行修整，藉以扩大第一和第二开口刻蚀区的尺寸。其中，当N为奇数时，T为(N-1)/2;当N为偶数时，T为N/2。在阶层集合上形成第二刻蚀

CN109727993B

在一N层的多阶层集合中形威一叠层，包括被

在一N层的多阶层集合中形威一叠层，包括被多个介电层隔离的多个牺牲层

在N层的多阶层集合上形成第一刻蚀-修整撞模，具有被此隔离的第一和第二开口刻蚀区

在M次刻体一佳整帮环中的每一个中，使用第一刻蚀一修整

挽模来蚀穿险层集合中的二个阶层。当N为奇数时W

为(-1)/2:当N为保数时为(N/2)-1

当N为偶数时，在单1次刻牧-修整括环中，使用第一刻蚀-修整掩模来蚀穿多险层集合中的一个阶层

3218

在非量后一次的每一次刻蚀-修整循环中，对第一刻蚀-修整掩模进行修整以扩大第一和第二开口刻雏区的尺寸

3219

在多阶属集合上方形成一第二刻蚀撞模。撞顿覆盖于被扩大的第一和第二开口刻蚀区其中的一个上

3217

使用第二刻蚀掩模来蚀穿阶层集合中的一个阶层

成可以穿过介电填充物到达落着

使用多个导电层来取代牺牲层

CN109727993B权利要求书1/2页

2

1.一种制作多阶层立体电路的方法，包括：

在具有N层的一阶层集合中形成一叠层，该叠层包括被多个介电层隔离的多个牺牲层；其中N为大于2的整数；

在该阶层集合上方形成一第一刻蚀-修整掩模；其中，该第一刻蚀-修整掩模具有彼此隔离的一第一开口刻蚀区、一第二开口刻蚀区以及一第三开口刻蚀区；该第二开口刻蚀区位于该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区之间；

在M次刻蚀-修整循环中的每一个中，使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的二个阶层；当N为奇数时，M为(N-1)/2;当N为偶数时，M为(N/2)-1;

当N为偶数时，在一单1次刻蚀-修整循环中，使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层；

在i从1到M-1的M-1次刻蚀-修整循环C(i)中，每一该些刻蚀-修整循环都对该第一刻蚀-修整掩模进行修整，藉以扩大该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区；

在该阶层集合上方形成一第二刻蚀掩模，该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区其中的一个上；而将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区的另一个暴露于外；以及

使用该第二刻蚀掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层；

其中，当该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第二开口刻蚀区上时，会将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区暴露于外；当该