CN109655159B 基于Al2O3-ZnO的光纤紫外传感器及其制作方法 （哈尔滨理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109655159B公告日2021.03.02

(21)申请号201910051612.6

(22)申请日2019.01.21

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109655159A

(43)申请公布日2019.04.19

(73)专利权人哈尔滨理工大学

地址150080黑龙江省哈尔滨市南岗区学

府路52号哈尔滨理工大学

(72)发明人沈涛代小爽冯月李晓晓

(51)Int.CI.

G01JG01J

3/45(2006.01)

3/02(2006.01)

审查员孙宏

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

基于Al?0?/Zn0的光纤紫外传感器及其制作方法

(57)摘要

CN109655159B本发明公开了基于Al?0?/Zn0的光纤紫外传感器，包括依次连接的光源、引入单模光纤、第一细芯光纤、空芯光纤、Al?0?/Zn0、第二细芯光纤、引出单模光纤和光谱仪，其光源为宽带光源，中心波长为1550nm;引入单模光纤用于接收和传输光源的光，并将其传输给第一细芯光纤；第一细芯光纤与引入单模光纤相对准熔接，产生干涉，并将干涉信号模式耦合至空芯光纤；空芯光纤内部设置Al?0?/Zn0,其两端于第一细芯光纤和第二细芯光纤相对准熔接，并将干涉信号引出单模光纤输出；光谱仪对引出单模光纤的干涉模式执行光谱检测，并获得传感数据。本发明还公开了相应的制作方法。据本发明借助于Al?0?/Zn0增

CN109655159B

CN109655159B权利要求书1/1页

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1.基于Al?O?/ZnO的光纤紫外传感器，其特征在于，该传感器包括依次连接的光源(1)、引入单模光纤(2)、第一细芯光纤(3)、空芯光纤(4)、Al?0?/Zn0复合材料(5)、第二细芯光纤(6)、引出单模光纤(7)和光谱仪(8),其中：所述光源(1)为宽带光源，中心波长为1550nm,用于产生光信号；所述引入单模光纤(2)用于接收和传输光源(1)的光，并将其传输给第一细芯光纤(3);所述第一细芯光纤(3)与引入单模光纤(2)相对准熔接，用于产生干涉，并将干涉信号的模式耦合至空芯光纤(4);所述空芯光纤(4)在其内部设置有Al?O?/ZnO复合材料(5),其两端分别于第一细芯光纤(3)和第二细芯光纤(6)相对准熔接，并将干涉信号通过引出单模光纤(7)输出；所述光谱仪(8)对引出单模光纤(7)所输出的干涉模式执行透射光谱检测，并根据检测结构相应的获得传感数据；

所述空芯光纤(4)在其内部设置有Al?O?/Zn0复合材料(5)的生长方法是：利用水热法将生长混合溶液在反应釜200℃生长20小时后，通过去离子水多次洗涤在真空冷冻干燥24小时后，将其粉状物在1200℃下煅烧3小时得到Al?O?粉末，将其作为原料以1%-5%填充到水热法制备的ZnO溶液中，将清洁后的空芯光纤(4)浸入水热法制备的1%-5%的混合溶液中100℃生长10小时后，通过60℃干燥处理使得Al?03/Zn0复合材料(5)生长在空芯光纤(4)的内部，形成350-400nm的Al?O?/Zn0复合材料(5)。

2.根据权利要求1所述的光纤紫外传感器，其特征在于，所述第一细芯光纤(3)和第二细芯光纤(6)长度被设定为1.5cm。

3.根据权利要求1所述的光纤紫外传感器，其特征在于，所述空芯光纤(4)内生长Al?O?/ZnO复合材料(5),其长度设定为2cm。

4.一种用于制作基于Al?O?/Zn0的光纤紫外传感器的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：利用水热法将生长混合溶液在反应釜200℃生长20小时后，通过去离子水多次洗涤在真空冷冻干燥24小时后，将其粉状物在1200℃下煅烧3小时得到Al?O?粉末，将其作为原料以1%-5%填充到水热法制备的Zn0溶液中，将清洁后的空芯光纤(4)浸入水热法制备的1%-5%的混合溶液中100℃生长10小时后，通过60℃干燥处理使得Al?O?/Zn0复合材料(5)生长在空芯光纤(4)的内部，形成350-400nm的Al?O?/Zn0复合材料(5);采用光纤熔接机的自定义模式，调节放电强度为3500bit,放电时间为2000ms,将引入