CN109509812A 一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法 （晶澳（扬州）太阳能科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109509812A布日2019.03.22

(21)申请号201811353993.5

(22)申请日2018.11.14

(71)申请人晶澳(扬州)太阳能科技有限公司地址225131江苏省扬州市扬州经济开发

区建华路1号

(72)发明人王玉林蒋秀林陈坤

(74)专利代理机构广州知友专利商标代理有限公司44104

代理人李海波刘艳丽

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/068(2012.01)

权利要求书1页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法

(57)摘要

CN109509812A本发明公开了一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法。该制作方法包括以下步骤：S1:在片状的晶体硅基体的至少一个主表面形成含有掺杂元素的薄膜；S2:自所述含有掺杂元素的薄膜去除具有预设图案的层，且所述具有预设图案的层的厚度小于所述含有掺杂元素的薄膜的厚度；S3:对所述含有掺杂元素的薄膜进行加热，以使所述含有掺杂元素的薄膜中的至少一部分或全部的掺杂元素进入所述晶体硅基体，从而得到晶体硅太阳能电池的发射极。该制作方法既可以得到选择性发射极，又可以使选择性发射极具有

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CN109509812A权利要求书1/1页

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1.一种晶体硅太阳能电池的发射极的制作方法，包括以下步骤：

S1:在片状的晶体硅基体(1)的至少一个主表面形成含有掺杂元素的薄膜(2);

S2:自所述含有掺杂元素的薄膜(2)去除具有预设图案的层(3),且所述具有预设图案的层(3)的厚度小于所述含有掺杂元素的薄膜(2)的厚度；

S3:对所述含有掺杂元素的薄膜(2)进行加热，以使所述含有掺杂元素的薄膜(2)中的至少一部分或全部的掺杂元素进入所述晶体硅基体(1),从而得到晶体硅太阳能电池的发射极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征是：所述含有掺杂元素的薄膜(2)与具有预设图案的层(3)的厚度比例为(1:0.9)～(1:0.1)。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征是：所述含有掺杂元素的薄膜(2)为含有掺杂元素的氧化硅薄膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的制作方法，其特征是：步骤S1中所述含有掺杂元素的薄膜(2)的厚度为10～500nm,所述掺杂元素的含量为1～50质量%。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征是：步骤S2中采用激光剥离或消融的方式自所述含有掺杂元素的薄膜(2)去除具有预设图案的层(3)。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征是：所述激光的脉冲宽度为50ns以下，所述激光的波长为532nm以下。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征是：所述激光的光斑形状为圆形或矩形，所述光斑的面积为100～150000μm2。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征是：步骤S3中对所述含有掺杂元素的薄膜

(2)进行加热时，加热温度为750～1200℃,加热时间为30～200min。

9.根据权利要求3所述的制作方法，其特征是：步骤S3中所述太阳能电池的发射极是具有较高掺杂浓度的金属化区域(4)和具有较低掺杂浓度的非金属化区域(5)的选择性发射极结构，其中所述较高掺杂浓度的金属化区域(4)对应非预设图案的层(3)区域，所述具有较低掺杂浓度的非金属化区域(5)对应预设图案的层(3)的区域。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征是：步骤S3中对所述含有掺杂元素的薄膜(2)进行加热，以使所述含有掺杂元素的薄膜(2)中的至少一部分或全部掺杂元素进入所述硅基体(1)后，去除所述含有掺杂元素的薄膜(2),从而得到太阳能电池的发射极。

CN109509812A说明书1/8页

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一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法。

背景技术

[0002]在晶体硅太阳能电池制作过程中，为了降低硅基体表面复合速率而提高光电转换效率，需要在硅基体的表面制作选择性发射极结