CN109607469A 基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法 （四川理工学院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109607469A

(43)申请公布日2019.04.12

(21)申请号201910011530.9

(22)申请日2019.01.07

(71)申请人四川理工学院

地址644000四川省宜宾市临港经济技术

开发区大学城188号

CO1BG01B

32/159(2017.01)7/16(2006.01)

(72)发明人郑富中吴晨光杨兴周兆英吴英蒲杰张杰

(74)专利代理机构北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)11641

代理人杜正国陆华

(51)Int.CI.

B81B3/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

B82Y30/00(2011.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书2页说明书5页附图1页

(54)发明名称

基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法

(57)摘要

V69DL0960INO4本发明提供基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法，利用硅微加工技术，在柔性基底上设置电极对；然后通过交流耦合介电电泳的方法，使单壁碳纳米管在悬浮液中的电场力作用下定向沉积在柔性基底上的电极对间；接着配比饱和的Au电镀液，实施区域选择性电沉积Au技术，实现Au电极上的定域沉积Au压覆单壁碳纳米管。本发明实现了单根或单束单壁碳纳米管的一

V69DL0960INO

4

CN109607469A权利要求书1/2页

2

1.单壁碳纳米管悬空结构，其特征在于，包括由多个平行电极对有序排列组成的电极对阵列、基底(1)和单壁碳纳米管(7),所述电极对阵列一极为设在基底(1)一侧的独立电极阵列(5),另一极为设在基底(1)另一侧的非独立电极阵列(6),所述非独立电极阵列(6)与信号源的输入端(2)与连接，信号源的输出端(3)悬空放置在独立电极阵列(5)的顶部；

所述独立电极阵列(5)由若干个独立电极组成，所述非独立电极阵列(6)由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，所述单壁碳纳米管(7)定向悬空放置在独立电极和非独立电极间。

2.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管悬空结构，其特征在于，所述基底(1)为柔性基底或硬基底。

3.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管悬空结构，其特征在于，所述电极对之间的间距小于5μm,所述独立电极与非独立电极之间间隔为5～10μm,所述独立电极与非独立电极均为微电极，所述微电极为金微电极或铂微电极。

4.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管悬空结构，其特征在于，信号源的输出端(3)与独立电极阵列(5)的距离为0.4～0.6mm。

5.根据权利要求1所述的单壁碳纳米管悬空结构，其特征在于，所述基底(1)表面铺设有分散液层。

6.基于权利要求1所述的柔性传感器，其特征在于，包括柔性基底、多个平行电极对有序排列组成的电极对阵列、单壁碳纳米管(7),所述电极对阵列一极为设在柔性基底一侧的独立电极阵列，另一极为设在柔性基底另一侧的非独立电极阵列(6),所述非独立电极阵列

(6)与信号源的输入端(2)与连接，信号源的输出端(3)悬空放置在独立电极阵列(5)的顶部；

所述独立电极阵列(5)由若干个独立电极组成，所述非独立电极阵列(6)由若干个相互之间电连接的非独立电极组成，所述单壁碳纳米管(7)的两端分别与独立电极和非独立电极固定连接。

7.根据权利要求6所述的柔性传感器，其特征在于，所述柔性基底为PI薄膜(8),柔性基底的厚度为10～30μm。

8.一种如权利要求6的柔性传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:利用硅微加工方法，在柔性基底上设置排列有序的电极对阵列，电极对阵列一极为独立电极阵列(5),另一极为非独立电极阵列(6),其中独立电极阵列(5)包括大量以阵列形式存在的独立电极，非独立电极阵列(6)中所有电极均相互有电连接；

S2:先将信号源的输出端(3)悬空放置在独立电极阵列(5)上，信号器源的输入端(2)与非电极电极阵列(6)相连，再将单壁碳纳米管分散剂滴加至设有电极对阵列的柔性基底表面，使电极对阵列与信号源的输出端(3)同时处于分散剂内，然后打开电源，通过交流耦合介电电泳，使得单壁碳纳米管(7)定向悬空组装在电极对间；

S3: