CN109599342A 一种FinFET侧墙的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109599342A

(43)申请公布日2019.04.09

(21)申请号201811560774.4

(22)申请日2018.12.20

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人曾绍海李铭左青云

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华尹一凡

(51)Int.CI.

H01L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

CN109599342A(57)摘要

CN109599342A

(57)摘要

本发明公开了一种FinFET侧墙的制作方法，包括以下步骤：步骤S01:提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤SO2:在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤SO3:在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；步骤SO4:在所述深槽中淀积侧墙材料；步骤S05:去除所述深槽之外多余的侧墙材料；步骤S06:去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。本发明的工艺可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，明显降低了工艺成本。

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极

在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖

在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽

在所述深槽中淀积侧墙材料

去除所述深槽之外多余的侧墙材料

去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙

S02

S04

S05

CN109599342A权利要求书1/1页

2

1.一种FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01:提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；

步骤SO2:在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；

步骤S03:在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；

步骤S04:在所述深槽中淀积侧墙材料；

步骤S05:去除所述深槽之外多余的侧墙材料；

步骤S06:去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。

2.根据权利要求1所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，步骤SO2中，所述介质层至少为双层结构，其由上往下包括掩模层以及平坦化层。

3.根据权利要求2所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，所述掩模层为氮氧化硅，所述平坦化层为不含碳的介质层。

4.根据权利要求2所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，所述平坦化层为SiONH。

5.根据权利要求4所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，采用FCVD工艺淀积所述平坦化层，然后，通过高温退火进行固化。

6.根据权利要求5所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，所述FCVD工艺中使用三甲硅烷基氨和氨气作为反应源，所述高温退火的温度为950～1100℃。

7.根据权利要求1所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，步骤S04中，所述侧墙材料为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，采用等离子增强原子层淀积方法淀积所述侧墙材料。

9.根据权利要求1所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，步骤S05中，采用热磷酸去除所述深槽之外多余的侧墙材料。

10.根据权利要求1所述的FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，步骤S06中，采用干法刻蚀，并使用O?作为刻蚀气体，去除所述介质层材料。

CN109599342A说明书1/4页

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一种FinFET侧墙的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及技术领域集成电路工艺制造，更具体地，涉及一种FinFET侧墙的制作方法。

背景技术

[0002]随着半导体技术的不断发展，传统的平面器件已难以满足人们对高性能器件的需求。

[0003]鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor,FinFET)是一种立体型器件，包括在衬底上垂直形成的鳍以及与鳍相交的堆叠栅