CN109738109B 一种高温微压压力传感器及其制作方法、测量系统 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109738109B(45)授权公告日2024.02.13

(21)申请号201910095101.4

(22)申请日2019.01.31

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109738109A

(43)申请公布日2019.05.10

(73)专利权人南京信息工程大学

地址210032江苏省南京市江北新区宁六

路219号

(72)发明人冒晓莉吴其宇张加宏

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200

专利代理师葛潇敏

(51)Int.CI.

GO1L9/06(2006.01)

GO1L19/08(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

(56)对比文件

CN101271028A,2008.09.24

CN103278270A,2013.09.04

CN2898795Y,2007.05.09

JPA,1990.07.10

US2015040677A1,2015.02.12

CN101082525A,2007.12.05

CN101226092A,2008.07.23

CN101639391A,2010.02.03

CN102539055A,2012.07.04

CN103308242A,2013.09.18

CN105181189A,2015.12.23

CN106946211A,2017.07.14

CN1346974A,2002.05.01

CN1731115A,2006.02.08

CN201297972Y,2009.08.26

CN209589335U,2019.11.05

JP2000337983A,2000.12.08

JPA,1994.10.21

US4944187A,1990.07.31

张加宏.《MEMS硅铝异质结构压力传感器的设计制作与测试研究》.《传感技术学报》.2018,全文.

审查员魏轩

权利要求书2页说明书8页附图10页

(54)发明名称

一种高温微压压力传感器及其制作方法、测量系统

(57)摘要

BCN109738109本发明公开一种高温微压压力传感器，包括传感器芯片、左侧补偿电路、右侧补偿电路、供电电极对、信号检测引出电极对、底部支撑层及外围封装；传感器芯片包括由下至上依次叠置的硅底层、二氧化硅绝缘层、碳化硅顶层，以及最上层

B

CN109738109

部和塑料外壳，二者结合，将传感器芯片罩设起来。此种结构在基于MEMS技术的基础上，显著地提高了高温环境下传感器测量的灵敏度、线性度与准确性，能够在高温微压条件下对0-1kPa范围内气压实现高精度测量。本发明还公开一种高温

微压压力传感器的制作方法及测量系统。

CN109738109B权利要求书1/2页

2

1.一种高温微压压力传感器的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1,选用硅作为传感器芯片制备的材质，传感器芯片的厚度为350-650um;

步骤2,在1050℃条件下通入氧气，氧气流速5-7L/min,时间为1小时30分钟至3小时40分钟，得到100nm至200nm厚的二氧化硅绝缘层；

步骤3,在室温下，以二氧化硅绝缘层为衬底，氩气作为溅射气体，用纯硅和石墨靶通过双源DC磁控溅射生成碳化硅薄膜，功率为0.2-0.25kW,压强为0.29-1.0Pa,最终生成碳化硅薄膜厚度为100-200nm;

步骤4,旋涂光刻胶，利用压敏电阻中掺杂碳化硅结构的掩膜板进行光刻；在芯片顶层以倾斜角度5-9°,20keV能量注入101?~101每立方厘米的剂量的硼离子，时间为10-12分钟，然后放置于高温退火炉中20-40秒以使硼离子均匀分布，形成掺硼纳米碳化硅；用显影溶液去除光刻胶；

步骤5,旋涂光刻胶，利用传感器芯片的十字梁结构与压敏电阻中铝金属连接结构的掩膜板进行光刻；在SF?/N?气氛环境下，通过ICP干法刻蚀碳化硅顶层，形成十字梁结构以及压敏电阻结构中铝金属连接结构；用显影溶液去掉光刻胶层；

步骤6,以氩气为溅射气体，用铝靶进行直流溅射，温度400～450℃,时间为3