CN109727993A 多阶层立体电路及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109727993A

(43)申请公布日2019.05.07

(21)申请号201711369820.8

(22)申请日2017.12.18

(30)优先权数据

15/797,9642017.10.30US

HO1L27/11551(2017.01)

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人江昱维邱家荣

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人曹玲柱

(51)Int.CI.

H01L27/1157(2017.01)

H01L27/11578(2017.01)

H01L27/11524(2017.01)

权利要求书2页说明书17页附图31页

(54)发明名称

多阶层立体电路及其制作方法

(57)摘要

CN109727993A形成牺牲层叠层于一组N层阶层集合中。在多层叠层集合上形成具有彼此隔离的第一和第二开口的第一刻蚀-修整掩模。在M次刻蚀-修整循环中的每一个中，使用第一刻蚀-修整掩模来蚀穿阶层集合中的二个阶层。当N为奇数时，M为(N-1)/2;当N为偶数时，M为(N/2)-1。当N为偶数时，在单1次刻蚀-修整循环中，使用第一刻蚀-修整掩模来蚀穿阶层集合中的一个阶层。在i从1到T-1的C(i)次刻蚀-修整循环中，对第一刻蚀-修整掩模进行修整，藉以扩大第一和第二开口刻蚀区的尺寸。其中，当N为奇数时，T为(N-1)/2;当N为偶数时，T为N/2。在阶层集合上形成第二刻蚀

CN109727993A

CN109727993A权利要求书1/2页

2

1.一种制作多阶层立体电路(multilevel3Dcircuit)的方法，包括：

在具有N层的一阶层集合中形成一叠层，该叠层包括被多个介电层隔离的多个牺牲层；其中N为大于2的整数；

在该阶层集合上方形成一第一刻蚀-修整掩模(etch-trimmask);其中，该第一刻蚀-修整掩模具有彼此隔离的一第一开口刻蚀区(openetchregions)和一第二开口刻蚀区；

在M次刻蚀-修整循环中的每一个中，使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的二个阶层；当N为奇数时，M为(N-1)/2;当N为偶数时，M为(N/2)-1;

当N为偶数时，在一单1次刻蚀-修整循环中，使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层；

在i从1到T-1的C(i)次刻蚀-修整循环中，每一该些刻蚀-修整循环都对该第一刻蚀-修整掩模进行修整，藉以扩大该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区；当N为奇数时，T为(N-1)/2;当N为偶数时，T为N/2;

在该阶层集合上方形成一第二刻蚀掩模，该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区其中的一个上；而将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区的另一个暴露于外；以及

使用该第二刻蚀掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层。

2.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法，其中该第一刻蚀-修整掩模还包括一第三开口刻蚀区，与该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区隔离；该第二开口刻蚀区位于该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区之间；当该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第二开口刻蚀区上时；会将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区暴露于外；当该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区上时；会将被扩大的该第二开口刻蚀区暴露于外。

3.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法，其中蚀穿该阶层集合中的二个阶层的步骤，是先于或后于使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层的步

骤。

4.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法，其中蚀穿该阶层集合中的二个阶层的步骤、形成该第一刻蚀-修整掩模的步骤、使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层的步骤以及对该第一刻蚀-修整掩模进行修整的步骤，皆先于或后于形成该第二刻蚀掩模以及使用该第二刻蚀掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层的步骤。

5.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法，其中该阶层集合中的多个阶层，包括一导电材料层和一绝缘材料层，于该阶层集合中的该些阶层上形成多个落着区之后，还包括：

于该些落着区上施加一介电填充物；

形成多个