CN109686780A 硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法 （中电科技集团重庆声光电有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109686780A

(43)申请公布日2019.04.26

(21)申请号201710980121.0

(22)申请日2017.10.19

(71)申请人中电科技集团重庆声光电有限公司地址401332重庆市沙坪坝区西永镇微电

园西永路367号

(72)发明人王波景媛媛向勇军

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L27/02(2006.01)

H01L21/8222(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制

作方法

(57)摘要

CN109686780A本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层电极。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的电流传输比相对于普通晶体管高出数倍，降低了后续电路的放大成本，为整机节约了体积。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其电流传输比达到2000以上，解决了现有光电三极管对

CN109686780A

CN109686780A权利要求书1/1页

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1.一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其特征在于：包括衬底层(1)、N型硅外延层(2)、二氧化硅钝化层(3)、第一极基区(4)、电极(5)、第一级发射区(6)、第二级基区(7)、第二级发射区(8)、集电区(9)、氮化硅层(10)和底层电极(11),所述底层电极(11)、N型硅外延层衬底(1)、N型硅外延层(2)、二氧化硅钝化层(3)、氮化硅层(10)由下至上依次设置，所述第一极基区(4)、第二级基区(7)和集电区(9)设在N型硅外延层(2)上部，第一级发射区(6)和第二级发射区(8)分别设在第一极基区(4)和第二级基区(7)上，所述第一极基区(4)、第一级发射区(6)、第二级基区(7)、第二级发射区(8)、集电区(9)各自连接有电极(5)。

2.根据权利要求1所述的硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其特征在于：所述第一级发射区(6)和第二级基区(7)的电极(5)相互连接。

3.一种如权利要求1或2中所述硅基高电流传输比双达林顿晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用N型硅外延材料形成衬底层(1)和N型硅外延层(2);将外延层(2)所在侧的器件端面记为正面，衬底层(1)所在侧的器件端面记为背面；

2)采用高温氧化工艺，在器件正面表面形成二氧化硅钝化层(3);

3)采用光刻工艺在器件正面光刻第一极基区(4)和第二级基区(7);采用湿法腐蚀工艺对第一极基区(4)和第二级基区(7)内的二氧化硅钝化层进行腐蚀；

4)采用高温硼扩散工艺，对第一极基区(4)和第二级基区(7)进行浅结硼掺杂；浅结硼掺杂后，在高温下通氧进行吸硼，形成第一极和第二极晶体管基区；

5)采用高温LPCVD工艺，在器件表面淀积氮化硅层(10);

6)采用光刻工艺，在第一极基区(4)和第二级基区(7)正上方刻蚀出第一级发射区(6)和第二级发射区(8),光刻出集电区(9);采用等离子刻蚀和湿法腐蚀工艺对第一级发射区

(6)、第二级发射区(8)和集电区(9)表面的氮化硅和二氧化硅进行腐蚀。

7)采用高温磷扩散工艺，对第一级发射区(6)、第二级发射区(8)和集电区(9)进行浅结磷掺杂，分别形成第一极和第二极晶体管发射区以及集电区；

8)对器件背面进行减薄抛光；

9)采用电子束蒸发工艺，在器件正面蒸镀金属膜；采用光刻及湿法腐蚀工艺，将电极区域以外的金属膜腐蚀掉，形成电极(5);

10)采用电子束蒸发工艺在器件背面蒸镀金属膜，形成N电极，即底层电极(11)。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：步骤4)中，按如下工艺条件进行浅结硼掺杂工艺：扩散温度为900～1100℃,掺杂浓度为1×101?/cm3~5×101?/cm3,结深约为1.0μm;氧化吸硼温度为900℃~1000℃。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：步骤5)中，高温LPCVD工艺的工艺条件为：淀积温度为780℃~850℃,氮化硅层(10)厚度为100