CN109786442A 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109786442A布日2019.05.21

(21)申请号201910088135.0

(22)申请日2019.01.29

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人于洪宇曾凡明

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人孟金喆

(51)Int.CI.

H01L29/06(2006.01)

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN109786442A本发明实施例公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。其中高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；设置于p型栅极层背离衬底一侧依次层叠的p型表面盖层、n型表面盖层以及栅极；其中，p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度小于p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。本发明实施例的技术方案，有效提高器件的栅极开启电压、

CN109786442A

CN109786442A权利要求书1/1页

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1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；

设置于所述外延层背离所述衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；

设置于所述p型栅极层背离所述衬底一侧依次层叠的p型表面盖层、n型表面盖层以及栅极；

其中，所述p型表面盖层中掺杂物的掺杂浓度小于所述p型栅极层中掺杂物的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述p型表面盖层和所述p型栅极层的掺杂物包括二茂镁。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述p型栅极层的掺杂物的浓度为1×101?cm3~9×101?cm3;

所述p型表面盖层的掺杂物的浓度为1×101?cm3~9×101?cm3。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述p型表面盖层包括p型氮化镓材料，所述p型表面盖层的厚度为10nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述n型表面盖层的掺杂物包括硅烷。

6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述n型表面盖层的掺杂物的浓度为1×101?cm3~9×101?cm3。

7.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述n型表面盖层包括n型氮化镓材料，所述n型表面盖层的厚度为10nm～100nm。

8.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧依次形成应力缓冲层、外延层、p型栅极层、p型表面盖层以及n型表面盖层；

保留栅极区域的所述n型表面盖层、所述p型表面盖层和所述p型栅极层，去除栅极区域之外的所述n型表面盖层、所述p型表面盖层和所述p型栅极层；

形成栅极、源极以及漏极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底一侧形成p型表面盖层包括：

利用金属有机化合物化学气相沉积方法，利用三甲基镓、氨气、二茂镁、硅烷、氢气和氮气，在1000℃~1100℃下生长p型表面盖层；其中，所述二茂镁为掺杂物。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底一侧形成n型表面盖层包括：

利用金属有机化合物化学气相沉积方法，利用三甲基镓、氨气、硅烷、氢气和氮气，在1000℃~1100℃下生长n型表面盖层；其中，所述硅烷为掺杂物。

CN109786442A说明书1/7页

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一种高电子迁移率晶体管及其制作方法

技术领域

[0001]本发明实施例涉及半导体器件技术，尤其涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

[0002]以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料具有禁带宽、临界击穿电场高、导热性好、熔点高、电子饱和迁移率高、耐辐射等特点，适用于制作高压、高功率、高频、耐高温、耐辐射等高