CN109427568A 一种半导体器件及其制作方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109427568A布日2019.03.05

(21)申请号201710757481.4

(22)申请日2017.08.29

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限

公司

(72)发明人涂火金

(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所

11336

代理人董巍高伟

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种半导体器件及其制作方法

CN1094275

CN109427568A

(57)摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成覆盖层或功函数金属层；对所述覆盖层或功函数金属层执行离子注入；在所述覆盖层或功函数金属层上形成金属栅极。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在形成覆盖层或功函数金属层之后执行离子注入，以避免后续形成的金属栅极中的金属原子发生扩散，从而提高了半导体器件的有效功函数，进而提高半导体器件的性能与可靠性。

提供半导体衬底

在所述半导体衬底上形成高k介电层

在所述高k介电层上形成覆盖层或功函数金属层

对所述覆盖层或功函数金属层执行离子注入

在所述覆盖层或功函数金属层上形成金属栅极

S201

S202

S203

S204

S205

CN109427568A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成高k介电层；

在所述高k介电层上形成覆盖层或功函数金属层；

对所述覆盖层或功函数金属层执行离子注入；

在所述覆盖层或功函数金属层上形成金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入注入的离子包括氮或氧。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的源气体包括N?、N?0或NO,注入的能量为1keV-100keV,注入的剂量为1E11atom/cm2-1E15atom/cm2。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属栅极的材料包括铝。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层或功函数金属层的材料包括TiN。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底上形成有高k介电层；

所述高k介电层上形成有覆盖层或功函数金属层，所述覆盖层或功函数金属层中掺杂有掺杂离子；

所述覆盖层或功函数金属层上形成有金属栅极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂离子包括氮或氧。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述金属栅极的材料包括铝。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层或功函数金属层的材料包括TiN。

CN109427568A说明书1/6页

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一种半导体器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

[0002]集成电路(IC)尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS),随着半导体集成电路工业技术日益的成熟，超大规模的集成电路的迅速发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小。

[0003]对于具有更先进的技术节点的CMOS而言，后高k/后金属栅极(high-kandmetalgatelast)技术已经广泛地应用于CMOS器件中，以避免高温处理工艺对器件的损伤。在目前的后高k/后金属栅极技术中，包括形成界面层(IL)和高k(HK)介电层，接着在高k介电层上沉积形成功函数金属层(WF)和金属栅极(MG)。

[0004]然而，在现有的后高k介电层/后金属栅极工艺