CN109360881A 一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片及其制作方法 （九江职业技术学院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109360881A

(43)申请公布日2019.02.19

(21)申请号201811475197.9

(22)申请日2018.12.04

(71)申请人九江职业技术学院

地址332005江西省九江市濂溪区十里大

道1188号

(72)发明人吕家将王文超

吴毅刘赣华夏志平

(74)专利代理机构郑州科硕专利代理事务所

(普通合伙)41157代理人侯立曼

(51)Int.CI.

H01L33/38(2010.01)

H01L33/00(2010.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片及其制作方法

(57)摘要

CN109360881A本发明公开了一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片及其制作方法，属于半导体发光器件技术领域，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，在p型半导体层上设有电流扩展层，在电流扩展层上设有绝缘隔离层，在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔；在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽，所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构；实现了p极导电柱或者p极导电块连续性电性连接而形成p电极，n电极与p电极呈叉指电极结构形式；从而在不影响电流扩展性能的前提下，减小了LED

CN109360881A

CN109360881A权利要求书1/1页

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1.一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，其特征在于，在p型半导体层上设有与p型半导体层电性连接的电流扩展层，在电流扩展层上设有与电流扩展层绝缘连接的绝缘隔离层，在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔，所述n极通孔自上而下延伸至n型半导体层，在n极通孔内壁上设有绝缘隔离壁；在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽，所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构；在n极通孔内设有n极导电柱，同列n极导电柱电性连接后，每列n极导电柱在一端再进行电性连接而形成n电极，在p极通孔或者p极通槽内设有p极导电柱或者p极导电块，同列p极导电柱或者p极导电块电性连接后，每列p极导电柱或者p极导电块在另一端再进行电性连接而形成p电极。

2.根据权利要求1所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离层与绝缘隔离壁为一体成型。

3.根据权利要求1所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层材质为透明导电材料。

4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离层材质为二氧化硅或者氮化硅。

5.一种如权利要求1至4任一项所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

A:提供衬底，然后在衬底上自下而上依次外延生长n型半导体层、发光层和p型半导体层；

B:刻蚀发光层和p型半导体层，形成暴露至n型半导体层的多个n极通孔，所述n极通孔呈矩形阵列分布而互不相连；

C:在p型半导体层上沉积电流扩展层，同时在电流扩展层上与n极通孔对应的位置进行刻蚀以向上延伸n极通孔；

D:在电流扩展层上沉积绝缘隔离层，绝缘隔离层覆盖电流扩展层并填充n极通孔；

E:在绝缘隔离层上与n极通孔对应的位置进行刻蚀以向上延伸n极通孔，同时在n极通孔内壁形成绝缘隔离壁；在绝缘隔离层上刻蚀并排设置的多列p极通孔或者p极通槽，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构，所述p极通孔或者p极通槽直达电流扩展层；

F:在绝缘隔离层上涂覆一层光刻胶，并对光刻胶进行光刻形成叉指结构电极空缺图形，然后在上面蒸镀金属电极材料，填充n极通孔形成n极导电柱，填充p极通孔或者p极通槽形成p极导电柱，最后将残余的光刻胶及沉积在残余光刻胶上的蒸镀金属电极材料去除，从而形成呈叉指电极结构的n电极和p电极。

6.根据权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤B和步骤C中进行刻蚀时所使用的掩膜板是相同的。

7.根据权利要求6所述