CN109166914A 场阻型igbt结构及其制作方法 （上海朕芯微电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109166914A

(43)申请公布日2019.01.08

(21)申请号201810765325.7

(22)申请日2018.07.12

(71)申请人上海朕芯微电子科技有限公司

地址201414上海市奉贤区青村镇钱桥路

756号1363号

(72)发明人黄平

(74)专利代理机构上海天翔知识产权代理有限公司31224

代理人吕伴

(51)Int.CI.

HO1L29/739(2006.01)

HO1L21/331(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图7页

(54)发明名称

场阻型IGBT结构及其制作方法

(57)摘要

本发明公开的场阻型IGBT结构，包括一N漂移区域，该N漂移区域具有相对的正面结构和背面结构，所述正面结构中包含发射极和栅极，其特征在于，所述背面结构具有一层N型缓冲层和一层集电极层，所述集电极层覆盖在所述N型缓冲层上。本发明还公开了该穿通型IGBT结构的制作方法。本发明与现有技术相比，具有如下优点：

(1)不再需要传统的高能离子注入和激光退火；

CN109166914A(2)N型Ge和P型Ge的掺杂由材料工厂制作，不再需要掺杂工艺以及退火工艺；(3)掺杂浓度可以按照要求来调整；(4)N型Ge层和P型Ge

CN109166914A

CN109166914A权利要求书1/1页

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1.场阻型IGBT结构，包括一N漂移区域，该N漂移区域具有相对的正面结构和背面结构，所述正面结构中包含发射极和栅极，其特征在于，所述背面结构具有一层N型缓冲层和一层集电极层，所述集电极层覆盖在所述N型缓冲层上。

2.如权利要求1所述的场阻型IGBT结构，其特征在于，所述N型缓冲层为N型Ge层，所述集电极层为P型Ge层。

3.如权利要求1所述的场阻型IGBT结构，其特征在于，所述N型缓冲层用N型掺杂Ge材料蒸发或者溅射形成。

4.如权利要求1所述的场阻型IGBT结构，其特征在于，所述集电极采用P型掺杂Ge材料蒸发或者溅射形成。

5.如权利要求1所述的场阻型IGBT结构，其特征在于，所述N漂移区域采用一次或多次不同掺杂浓度的材料蒸发或者溅射形成。

6.权利要求1至5任一项权利要求所述的场阻型IGBT结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)正面结构成型步骤；

(2)减薄步骤；

(3)背面N型Ge层蒸发或者溅射步骤；

(4)背面P型Ge层蒸发或者溅射步骤。

7.如权利要求6所述的所述的穿通型IGBT结构的制作方法，其特征在于，所述正面结构成型步骤包括如下步骤：

(1.1)P-body和N+注入推进步骤；

(1.2)Trench刻蚀步骤；

(1.3)Gate氧化和多晶硅淀积步骤；

(1.4)SiO?等介质淀积步骤；

(1.5)接触孔刻蚀步骤；

(1.6)正面金属化步骤；

(1.7)硅片正面钝化步骤。

CN109166914A说明书1/3页

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场阻型IGBT结构及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别涉及场阻型IGBT结构及其制作方法。

背景技术

[0002]通常IGBT有三种结构：穿通型IGBT、非穿通型IGBT和场阻型IGBT。

[0003]参见图1,穿通型IGBT是在P型Si衬底上外延N型Si缓冲层和N-高阻层(漂移区);这种结构的主要缺点是：1.对于高压IGBT,厚外延是非常困难且花费很高；2.由于背面P型Si衬底在器件导通时大量的空穴会注入到N-漂移区，使得器件的关断时间很长，故通常会采用电子辐射等手段来降低少子寿命，这势必进一步会增加制造成本。

[0004]参见图2,非穿通型IGBT采用FZ单晶硅片，在完成IGBT正面工艺后，硅片减薄，然后背面硼离子注入，然后退火。这种结构的主要缺点是：1.非穿通结构，漂移区厚度要比传统型的更厚，使得器件的饱和压降更高，关断时间更长；2.此结构与后面介绍的场阻型IGBT相比，静态和动态的功率损耗仍然较高。

[0005]参见