CN109116471A 一种涡旋光束模式转换耦合器及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN109116471A布日2019.01.01

(21)申请号201810768355.3

(22)申请日2018.07.13

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人文建湘王廷云邢建飞贺心雨董艳华庞拂飞曾祥龙陈振宜

(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)31205

代理人陆聪明

(51)Int.CI.

GO2B6/14(2006.01)

GO2B6/255(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图5页

(54)发明名称

一种涡旋光束模式转换耦合器及其制作方法

(57)摘要

CN109116471A本发明提供了一种涡旋光束模式转换耦合器及其制作方法，本发明将一根单模光纤与一根少模光纤一定区域内熔接在一起，并能够精确控制单模光纤中的基模耦合至少模光纤中的高阶模式，通过调节单模光纤中输入基模光的偏振态，可以在少模光纤中产生特定的高阶0AM模式，形成了熔融拉锥型涡旋光束模式转换耦合器，具有体积小、耗材少、易于生产、稳定性高、适用波段宽和转换效率高等优点，在全光纤通信中占具重要的部分，可作为模分复用的前端器件，亦可作为涡光激光器和涡光放大器的模式转换器件，

CN109116471A

CN109116471A权利要求书1/2页

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1.一种涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：包括单模光纤(2),少模光纤(3)以及两者的耦合部(1),所述耦合部(1)由单模光纤(2)和少模光纤(3)扭和0.5-2圈后进行熔融拉锥融合而成，使用时，光束从单模光纤(2)的一端进入，经过耦合部(1)后分别从单模光纤(2)以及少模光纤(3)的另一端离开；所述单模光纤(2)与少模光纤(3)的包层直径相同。

2.根据权利要求1所述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：所述少模光纤(3)由少模纤芯(31)、内少模包层(32)以及外少模包层(33)组成，少模纤芯(31)设置于内少模包层(32)中心处，外少模包层(33)将内少模包层(32)包裹于其中。

3.根据权利要求1所述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：所述少模光纤(3)中支持传输的各矢量模式之间的模式有效折射率差大于1×10??。

4.根据权利要求2所述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：所述少模纤芯(31)的直径为5-8μm。

5.根据权利要求2所述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：所述内少模包层(32)的直径为8-30μm。

6.根据权利要求2所述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：所述外少模包层(33)的直径为125～160μm。

7.根据权利要求1所述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于：所述耦合部(1)中，单模光纤(2)和少模光纤(3)的扭和圈数为1圈。

8.一种涡旋光束模式转换耦合器的制作方法，制备上述的涡旋光束模式转换耦合器，其特征在于，包含以下步骤：

步骤一，计算少模光纤(3)的模式数量与纤芯包层尺寸大小和有效折射率差之间的关系，确定需要制作的少模光纤(3)的参数，以此参数进行少模光纤(3)制备；

步骤二，截取相同长度的单模光纤(2)与少模光纤(3),并在中间区域剥去相同长度的涂履层，然后分别对少模光纤(3)以及单模光纤(2)进行预拉锥处理，使预拉锥后的少模光纤(3)以及单模光纤(2)拥有与模式匹配的芯包尺寸；

步骤三，根据预拉锥处理后光纤所能够达到的模式匹配要求，设置拉制模式转换耦合器的参数，将单模光纤(2)和少模光纤(3)扭合在一起，而后进行拉制操作，拉制时，在模式耦合开始之前，拉伸速度为50-250μm/s;在模式耦合开始之后，拉伸速度为20-200μm/s;耦合结束后，修正速度为5-50μm/s;总的拉伸距离为8000-35000μm;

步骤四，拉制完成后，将模式转换耦合器进行封装，最后将产品嵌入系统，进行验证性测试，检验其是否能够完成模式的转换，若不能则回到步骤一重新制备，若能则完成涡旋光束模式转换耦合器的制作。

9.根据权利要求8所述的涡旋光束模式转换耦合器的制作方法，其特征在于：制备少模光纤(3)时所使用的预制棒，制作方法包括MCVD改良化学气相沉积工艺，FCVD加热炉化学气相沉积工艺，PCVD等离子体化学气相沉积工艺，OVD外部气相沉积工艺，VA