CN108962902A 立体存储器元件的制作方法及其结构 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108962902A

(43)申请公布日2018.12.07

(21)申请号201710691942.2

(22)申请日2017.08.14

(30)优先权数据

15/597,9652017.05.17US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人赖二琨龙翔澜

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人任岩

(51)Int.CI.

HO1L27/11524(2017.01)

权利要求书2页说明书18页附图21页

(54)发明名称

立体存储器元件的制作方法及其结构

(57)摘要

CN108962902A本发明公开了一种立体存储器元件，包括多个具有一垂直通道和一个多层数据存储结构的垂直柱状体。此多层数据存储结构包括一个介电电荷俘获结构。一个具有介电衬里层的导电条带叠层，被位于叠层中的多个绝缘条带所隔离，且具有邻接于对应垂直柱状体的侧壁。介电衬里层位于此一侧壁上，介电常数大于7,且与位于对应垂直柱状体上的多层数据存储结构的外部层接触。导电条带包括电阻值相对较低的材料，例如金属或金属氮化物。本发明还公开了一种立体存储器元件的制作方法，其制作方法包括，在栅极

CN108962902A

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WLc

GSL

CN108962902A权利要求书1/2页

2

1.一种立体存储器元件的制作方法，包括：

形成一垂直柱状体，具有一垂直柱状体侧壁，并包括一垂直通道和多个多层数据存储结构且具有一外部层位于该垂直柱状体侧壁上；以及

形成由多个具有一介电衬里层的导电条带所构成的一导电条带叠层，这些导电条带通过该导电条带叠层中的多个绝缘条带所隔离，且每一这些导电条带具有一导电条带侧壁，该介电衬里层位于该导电条带侧壁上，并具有大于7的一介电常数，且与位于该垂直柱状体中的这些多层数据存储结构的该外部层接触。

2.根据权利要求1所述的立体存储器元件的制作方法，其中形成该垂直柱状体的步骤包括：

形成由一绝缘材料和一牺牲材料所构成的多个交替叠层；

刻蚀该交替叠层以形成至少一沟道，并定义出由多个牺牲条带所构成的多个牺牲条带叠层，这些牺牲条带通过这些牺牲条带叠层中的多个绝缘条带彼此隔离；

在该沟道的多个侧壁上形成这些多层数据存储结构；

在该沟道中的这些多层数据存储结构上形成一半导体通道材料；

刻蚀一通孔穿过该半导体通道材料，用以在该沟道中形成该垂直柱状体，并将这些牺牲条带暴露出来；其中形成该导电条带叠层的步骤包括：

选择性地移除这些牺牲条带，以在牺牲条带叠层中的这些绝缘层之间形成多个空隙；使用一介电材料在该空隙中形成一介电衬里层；以及

使用一字线材料覆盖该介电衬里层并填充该空隙，以形成这些导电条带。

3.根据权利要求2所述的立体存储器元件的制作方法，其中该牺牲材料与该垂直通道包括不同材料；该牺牲材料和该垂直通道包括硅、锗或硅锗；该字线材料包括一金属。

4.根据权利要求1所述的立体存储器元件的制作方法，其中每一这些导电条带都具有一上表面和一下表面，该介电衬里层具有与这些绝缘层不同的一材料，且这些介电衬里层分别覆盖在每一这些导电条带的该上表面和该下表面上；每一该多层数据存储结构包括一隧穿层、一介电电荷存储层和一阻挡层，其中该外部层为该阻挡层。

5.一种立体存储器元件，具有多个存储单元，包括：

一垂直柱状体，具有一垂直柱状体侧壁，并包括一垂直通道和多个多层数据存储结构，具有一外部层位于该垂直柱状体侧壁上；以及

一导电条带叠层，由多个具有一介电衬里层的导电条带所构成，这些导电条带通过该导电条带叠层中的多个绝缘条带所隔离，且每一这些导电条带具有一绝缘条带侧壁，该介电衬里层位于对应的该导电条带侧壁上，并具有大于7的一介电常数，且与这些多层数据存储结构的该外部层接触。

6.根据权利要求5所述的立体存储器元件，其中，这些导电条带包括一金属；该垂直通道包括锗或硅锗。

7.根据权利要求5所述的立体存储器元件，其中每一这些导电条带都具有一上表面和一下表面，该介电衬里层具有与这些绝缘层不同的一材料，且这些介电衬里层分别覆盖在每一这些导电条带的该上表面和该下表面上；每一该多层数据存储结构包括一隧穿层、一介电电荷存储层和一阻挡层，其中该外部层为该阻挡层。

8.一种立体存储器元件的制作方法，