CN108598170A 纳米线晶体管及其制作方法 （清华大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108598170A

(43)申请公布日2018.09.28

(21)申请号201810509202.7

(22)申请日2018.05.24

(71)申请人清华大学

地址100084北京市海淀区双清路30号

(72)发明人许峰高滨李辛毅吴华强钱鹤

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人王晓燕

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图20页

(54)发明名称

纳米线晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN108598170A一种纳米线晶体管及其制作方法，该纳米线晶体管包括：半导体线、半导体层、源极和漏极。半导体线包括第一半导体材料并且包括源区、漏区和沟道区，沿所述半导体线的轴向方向，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间；半导体层包括第二半导体材料并且包覆所述半导体线的沟道区；所述源极位于所述半导体线的源区内并与所述半导体线的源区直接接触，所述漏极位于所述半导体线的漏区内并与所述半导体线的漏区直接接触。在该纳米线晶体管中，由于源极和漏极与半导体线直接接触，栅极电场对沟道的控

CN108598170A

10轴简方向

CN108598170A权利要求书1/2页

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1.一种纳米线晶体管，包括：

半导体线，包括第一半导体材料并且包括源区、漏区和沟道区，其中，沿所述半导体线的轴向方向，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间；

半导体层，包括第二半导体材料并且包覆所述半导体线的沟道区；以及

源极和漏极，其中，所述源极位于所述半导体线的源区内并与所述半导体线的源区直接接触，所述漏极位于所述半导体线的漏区内并与所述半导体线的漏区直接接触。

2.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，

在与所述半导体线的轴向方向垂直的方向上，所述源极和所述漏极均与所述半导体层不重叠。

3.根据权利要求2所述的纳米线晶体管，其中，

所述源极包覆所述半导体线的至少部分源区；

所述漏极包覆所述半导体线的至少部分漏区。

4.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，所述半导体层包覆所述半导体线的源区和漏区；

所述半导体层的位于所述源区的部分包括贯穿所述半导体层的第一过孔，所述半导体层的位于所述漏区的部分包括贯穿所述半导体层的第二过孔；

所述源极通过所述第一过孔与所述半导体线的源区直接接触；

所述漏极通过所述第二过孔与所述半导体线的漏区直接接触。

5.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，所述半导体层包覆所述半导体线的源区和漏区；

所述半导体层的位于所述源区的部分包括贯穿所述半导体层且环绕所述半导体线的第一凹槽，所述半导体层的位于所述漏区的部分包括贯穿所述半导体层且环绕所述半导体线的第二凹槽；

所述源极通过所述第一凹槽与所述半导体线的源区直接接触；

所述漏极通过所述第二凹槽与所述半导体线的漏区直接接触。

6.根据权利要求2所述的纳米线晶体管，其中，

所述沟道区的长度为所述半导体层的沿所述半导体线的轴向方向的长度。

7.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，还包括：

栅氧化层，包覆所述半导体层；以及

栅极，包覆所述栅氧化层，其中，

沿所述半导体线的轴向方向，所述半导体层的两端突出于所述栅氧化层和所述栅极；或者，沿所述半导体线的轴向方向，所述半导体层的两端分别与所述栅极的两端齐平。

8.根据权利要求7所述的纳米晶体管，其中，

在与所述半导体线的轴向方向垂直的方向上，所述源极与所述栅氧化层不重叠且所述漏极与所述栅氧化层不重叠；

在与所述半导体线的轴向方向垂直的方向上，所述源极与所述栅极不重叠且所述漏极与所述所栅极不重叠。

9.根据权利要求1-8任一项所述的纳米线晶体管，其中，所述第一半导体材料的晶格常数大于所述第二半导体材料的晶格常数。

CN108598170A权利要求书2/2页

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10.根据权利要求9所述的纳米线