CN110098052A 一种晶界层电容器的制作方法 （湖北大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110098052A

(43)申请公布日2019.08.06

(21)申请号201910311066.5

(22)申请日2019.04.18

(71)申请人湖北大学

地址430062湖北省武汉市武昌区友谊大

道368号

申请人南京铱方巨人新能源科技有限公司

(72)发明人杨昌平李伟恒胡竞楚张木森徐玲芳梁世恒王瑞龙肖海波

(74)专利代理机构武汉河山金堂专利事务所(普通合伙)42212

代理人胡清堂陈懿

(51)Int.CI.

H01G4/12(2006.01)

H01G4/00(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种晶界层电容器的制作方法

CN

CN110098052A

(57)摘要

本发明提供一种晶界层电容器的制作方法，采用三步法制备STO晶界层电容器。首先将STO生瓷片在还原性气氛中烧结得到半导体化基片，再选用适当氧化剂对ST0半导体化基片进行绝缘化，最后利用STO晶界层电容器电阻值随负载电压及加压时间不断增加的特点，在加载电压条件下，对晶界层电容进行快速热处理来提高电容器的绝缘电阻值和一致性。该方法效果明显，对SrTiO?晶界层电容器在微波集成技术、微波电路和微波通讯中的应用具有重要意义。

运用流延法制备基片生坯，将基片生坯半导化得到STO基片，选取多种成分的金属与非金属氧化物的混合物作为氧化剂对STO基片进行绝缘化以及印刷电极，制备得到可测试介电性能的大瓷片

将得到的可测试介电性能的大瓷片进行电、热处理，将处理后可测试介电性能的大瓷片进行切片处理，得到STO晶界层电容器

将得到的STO品界层电容器进行绝缘电阻及介电参数测量

S1

S2

S3

CN110098052A权利要求书1/2页

2

1.一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、运用流延法制备基片生坯，将基片生坯半导化得到STO基片，选取多种成分的金属与非金属氧化物的混合物作为氧化剂对STO基片进行绝缘化以及印刷电极，制备得到可测试介电性能的大瓷片；

S2、将得到的可测试介电性能的大瓷片进行电、热处理，将处理后可测试介电性能的大瓷片进行切片处理，得到STO晶界层电容器；

S3、将得到的STO晶界层电容器进行绝缘电阻及介电参数测量。

2.根据权利要求1所述一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中包括以下步骤：

S11、运用流延法制备生坯，其中，采用SrCO?和TiO?为主料，加入消泡剂和分散剂，并各取主料重量的1%,经行星式球磨机球磨得到流延浆料，再经流延、干燥、叠片和热压后得到基片生坯；

S12、将基片生坯在650℃进行排胶处理，排胶后的瓷片在N?/H?还原气氛中，1350℃烧结2.5小时后得到半导化STO基片；

S13、使用匀胶机将氧化剂均匀涂满基片表面，再将涂好氧化剂的基片放置于1200℃下保温3小时后进行降温，先经过0.5小时降至950℃,再从950℃通过自然降温降至室温；

S14、采用丝网印刷工艺将绝缘化后的基片两面均匀印上银浆，在750℃下保温0.5小时进行烧银，得到可测试介电性能的大瓷片。

3.根据权利要求2所述一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述步骤S11中流延厚为60μm,叠片为4层，压强为100MPa。

4.根据权利要求2所述一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述步骤S11中获取的基片尺寸为长和宽分别为45mmx45mm,厚0.25mm。

5.根据权利要求2所述一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述步骤S13中所述氧化剂包括SiO?,Bi?O?,MnO,Ag?0,B?O?,分别按重量比25%:30%:15%:20%:10%进行混合得到氧化剂浆料。

6.根据权利要求2所述一种晶界层电容器的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

S21、将得到的可测试介电性能的大瓷片加载50V直流恒压，在0?流动气氛，快速退火炉中以1℃/s快速升温至250℃,在250℃保温30s后将负载电压关闭；

S22、将大瓷片从退火炉中拿出迅速置入液氮中急速冷却1～3分钟，然后将大瓷片拿出，在空气中自然升至室温静置24小时后待测；

S23、将大瓷片切成特定尺寸样品，最后