CN110148626B 极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管及其制作方法 （西安交通大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110148626B公告日2020.08.04

(21)申请号201910095373.4

(22)申请日2019.01.31

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110148626A

(43)申请公布日2019.08.20

(73)专利权人西安交通大学

地址710049陕西省西安市咸宁西路28号

专利权人西安电子科技大学

(72)发明人王晓飞孙权

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

HO1L29/739(2006.01)审查员杨燕

权利要求书2页说明书10页附图5页

(51)Int.CI.

H01L

H01L

29/20(2006.01)21/331(2006.01)

(54)发明名称

极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管及其制作方法

调制板10

调制板10栅极11

介质层8极化反型层4

体区3

缓冲层2

衬底1

隧穿

栅12

漏极6

□台动9

源极7

本发明公开了一种极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管，主要解决传统物理掺杂技术引起的随机掺杂波动导致器件性能下降，制作工艺复杂，可靠性低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)和体区(3),体区的右上部设有极化反型层(4),在体区的上部、极化反型层的左侧和上部淀积有介质层(8),介质层左侧刻蚀有栅台阶(9),介质层上部自右向左依次淀积有调制板(10)、栅极(11)和隧穿栅(12),体区两侧刻蚀有下台阶(5),该台阶的左右侧上部分别设有源极(7)和漏极(6)。本发明避免了传统物理掺杂技术

CN110148626B中的退火工艺，改善了器件的输出电流和亚阈值摆幅并抑制了反向漏电，提高了器件可靠性，可

CN110148626B

CN110148626B权利要求书1/2页

2

1.一种极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管，包括：体区(3)、漏极(6)、源极(7)、栅极(11),特征在于：

所述体区(3)下方依次设有缓冲层(2)和衬底(1),该缓冲层(2)采用[0001]晶向的非故意掺杂的GaN半导体材料；

所述体区(3)的右上部淀积有极化反型层(4),其采用[0001]晶向的非故意掺杂的InxGa1-xN半导体材料，宽度f为10～100nm,且极化反型层(4)的厚度h与In组分x满足关系式：

所述体区(3)的两侧刻蚀有下台阶(5),漏极(6)位于右侧下台阶(5)的上部，其厚度大于体区(3)与极化反型层(4)的厚度之和；源极(7)位于左侧下台阶(5)的上部，其厚度大于体区(3)的厚度；

所述体区(3)的上部及极化反型层(4)的左侧和上部淀积有介质层(8);该介质层(8)的左侧刻蚀有栅台阶(9),上部自右向左依次淀积有调制板(10)和隧穿栅(12),栅极(11)位于调制板(10)与隧穿栅(12)之间。

2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅极(11),其宽度c小于调制板(10)的宽度b,宽度b为6～70nm。

3.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述漏极(6),其采用金属的功函数要低于淀积栅极(11)所采用的金属功函数。

4.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极(7),其采用金属的功函数要高于淀积栅极(11)所采用的金属功函数。

5.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述调制板(10),其与极化反型层(4)交叠的宽度小于极化反型层(4)的宽度f和调制板(10)的宽度b,且采用金属的功函数高于淀积栅极(11)所采用的金属功函数。

6.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述介质层(8),采用SiO?或SiN或Al?03或Hf0?或TiO?绝缘介质材料，其在体区(3)上部、极化反型层(4)左侧和极化反型层(4)上部这些区域的厚度a均相等，且完全填充体区(3)、极化反型层(4)、栅极(11)、调制板(10)之间的区域，厚度a为1～20nm。

7.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述栅台阶(9),其深度e小于介质层(8)的厚度a,其宽度d小于调制板(10)的宽度b和栅极(11)的宽度c。

8.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿栅(12),其宽度与栅台阶(9