CN1622404A 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510000131.0

[51]Int.Cl?

H01S5/00

H01S5/183H01L21/607H01L21/60H01L21/28H01L21/44

[43]公开日2005年6月1日[11]公开号CN1622404A

[22]申请日2005.1.5

[21]申请号200510000131.0

[71]申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路7089号

[72]发明人赵英杰郝永芹晏长岭王晓华姜晓光芦鹏

[74]专利代理机构中国兵器工业集团公司专利中心代理人曲博

权利要求书1页说明书2页附图1页

[54]发明名称在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法

[57]摘要

在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是，电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，造成损耗，还使器件发热；另外，电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接的有可能会出现脱落。本发明在激光器圆台台面、焊盘台面及连接面上同时刻蚀均匀分布的孔，这样就能够在整个芯片中制作一个连续、完整的氧化物限制层；之后，在分布有若干小孔的上电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔，同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。上述方案解决了已知技术的问题。本发明主要应用于垂直腔面发射半导体激光器制造领域。

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4724-8001NSSI

知识产权出版社出版

200510000131.0权利要求书第1/1页

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1、一种在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法，在半导体芯片供蒸镀电极的表面上制作一些孔，用超声球焊法将引线球焊头焊接在半导体芯片上电极上，其特征在于，在垂直腔面发射半导体激光器圆台台面(3)上刻蚀环形分布孔(5)的同时，在焊盘台面(1)及连接面(2)上同时刻蚀均匀分布的小孔(8),刻蚀的深度与环形分布孔(5)相同，到达制作氧化物限制层的深度；之后，

1)在为了形成半导体激光器谐振腔孔径，而通过环形分布孔(5),采用氧化方法制作氧化物限制层的同时，也通过在焊盘台面1及连接面(2)上均匀分布的小孔(8),以及激光器芯片周边，在焊盘台面(1)和连接面(2)下面的相应深度形成一个连续、完整的氧化物限制层；

2)在经过钝化处理的这种焊盘台面(1)及连接面(2)上蒸镀上电极，在这种平面电极上依然均匀分布有若干小孔(8),将引线球焊头在该电极上焊接时，引线球焊头在超声波和压力的作用下挤进小孔(8),同时对靠近上电极的孔壁有浸润，并形成镶嵌。

2、根据权利要求1所述的在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法，其特征在于，小孔(8)的直径约5微米，孔与孔边缘之间的距离约5微米。

200510000131.0说明书第1/2页

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在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法

技术领域

本发明属于半导体激光器制造技术领域，可以划分到半导体芯片电极制作技术领域。

背景技术

2005年1月5日出版的《中国专利公报》(发明)2005年第1期公开了一件申请号为

200410004357.3、名为“垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法”的发明专利申请，见图1所示，半导体激光器芯片供蒸镀上电极的表面由三段组成，即焊盘台面1、连接面2和激光器圆台台面3。在激光器圆台台面3外围环形区域内，沿轴线4刻蚀若干个环形分布、彼此孤立的孔5,这些孔的中心位于轴线4上，其深度超过垂直腔面发射半导体激光器结构中的氧化物限制层。孔与孔之间的台面部分成为桥状通道6。经由这些孔5可以完成氧化物限制层制作工序，形成近似圆形的激光器谐振腔孔径。并且，保留这些孔。各个相邻孔5之间的桥状通道6使得激光器圆台台面3各部分仍保持连接状态，仍与连接面2、焊盘台面1组成一个供蒸镀激光器上电极用的连续平面。在这一连续平面上蒸镀上电极后，电流可以顺利地从焊盘径直到达激光器圆台台面3的环形电子注入区7,注入激光器谐振腔中。

关于上电极引线，现有技术是将引线的球焊头焊接在焊盘台面1上的平面电极上。

发明内容

上述现有技