CN1713403A 发光二极管数组及其制作方法 （威凯科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410050013.6

[51]Int.Cl?

H01L33/00

H01L27/15H01L25/075H01L25/13

[43]公开日2005年12月28日[11]公开号CN1713403A

[22]申请日2004.6.24

[21]申请号200410050013.6

[71]申请人威凯科技股份有限公司地址台湾省新竹市

[72]发明人马立青陈欣怡陈毅修柯志明孟祥治徐顺弘

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人马娅佳

权利要求书5页说明书5页附图5页

[54]发明名称发光二极管数组及其制作方法

[57]摘要

本发明有关于一种发光二极管数组及其制作方法，其于一可导电基板上形成一阻隔层，之后再于阻隔层上形成多个发光二极管，发光二极管包含有一第一导电型半导体层与一第二导电型半导体层，第一导电型半导体层形成于阻隔层上，而第二导电型半导体层形成于第一导电型半导体层上，多个该发光二极管可互相串接或并联在一起，以排列为一数组，如此可提高生产发光二极管数组的效率，进而降低生产成本，缩短生产时间。

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4724-8001NSSI

知识产权出版社出版

200410050013.6权利要求书第1/5页

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1.一种发光二极管数组，其特征在于，包含：

一可导电基板；

一阻隔层，设于该可导电基板上；以及

5多个发光二极管，设于该阻隔层上，该发光二极管相互串接排列为一数组，该任一发光二极管更包含有一第一导电型半导体层设于该阻隔层上及一第二导电型半导体层设于该第一导电型半导体层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管数组，其特征在于，该阻隔层可为一P型半导体层。

103.如权利要求1所述的发光二极管数组，其特征在于，该阻隔层可为一本质半导体层。

4.如权利要求1所述的发光二极管数组，其特征在于，该第一导电型半导体层可为一N型半导体层，该第二导电型半导体层可为一P型半导体层。

5.如权利要求1所述的发光二极管数组，其特征在于，每一该发光二极管

15的该第一导电型半导体层更设有一导线，该导线与另一该发光二极管的该第二

导电型半导体层电性相连接，使每一该发光二极管相串接。

6.如权利要求5所述的发光二极管数组，其特征在于，

该发光二极管的该第一导电型半导体层更包含有一电极，该第一导电型半导体层的该导线连接于该电极。

207.如权利要求5所述的发光二极管数组，其特征在于，每一该发光二极管的该第二导电型半导体层更包含有一电极，该第二导电型半导体层的该导线连接于该电极。

8.如权利要求1所述的发光二极管数组，其特征在于，第一串接的该发光二极管的该第一导电型半导体层与最后串接的该发光二极管的该第二导电型

25半导体层，分别与两接脚电性相连接，该发光二极管数组套设有一罩体，而该两接脚伸出于该罩体外。

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9.如权利要求1所述的发光二极管数组，其特征在于，每一该发光二极管的该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层之间更包含有一发光层。

10.一种发光二极管数组制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：

提供一可导电基板；

5形成一阻隔层于该可导电基板上；

形成多个发光二极管于该阻隔层上，该任一发光二极管更包含有一第一导电型半导体层设于该阻隔层上及一第二导电型半导体层设于该第一导电型半导体层上；以及串接多个该发光二极管为一数组。

11.如权利要求10所述的发光二极管数组制造方法，其特征在于，该阻隔10层可为一P型半导体层。

12.如权利要求10所述的发光二极管数组制造方法，其特征在于，该阻隔层可为一本质半导体层。

13.如权利要求10所述的发光二极管数组制造方法，其特征在于，该第一导电型半导体层可为一N型半导体层，该第二导电型半导体层可为一P型半导

15体层。

14.如权利要求10所述的发光二极管数组制造方法，其特征在于，于