CN1540757A 具应变通道的互补式金氧半导体及其制作方法.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200310101956.2

[51]Int.Cl?

H01L27/092

H01L21/8238

[43]公开日2004年10月27日[11]公开号CN1540757A

[22]申请日2003.10.17

[21]申请号200310101956.2

[30]优先权

[32]2003.4.25[33]US[31]10/423,513

[71]申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址台湾省新竹科学工业园区

[72]发明人杨育佳柯志欣李文钦胡正明

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人王一斌

权利要求书6页说明书17页附图12页

[54]发明名称具应变通道的互补式金氧半导体及其制作方法

[57]摘要

本发明揭示一种具应变通道的互补式金氧半导体，主要是包括：一半导体基底、设置于上述半导体基底内的复数沟槽隔离区、一氮化物衬垫层、一离子布植氮化物衬垫层、一N型通道晶体管以及一P型通道晶体管。其中，相邻两沟槽隔离区之间各定义出一主动区，主动区包括一N型主动区与一P型主动区。另外，氮化物衬垫层，顺应性设置于上述N型主动区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间。再者，离子布植氮化物衬垫层，顺应性设置于上述P型主动区两侧的沟槽隔离区与半导体基底之间。并且，N型通道晶体管，设置于N型主动区上方。以及，P型通道晶体管，设置于P型主动区上方。

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知识产权出版社出版

200310101956.2权利要求书第1/6页

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1.一种具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于所述互补式金氧半导体包括：

一半导体基底；

5复数沟槽隔离区，设置于上述半导体基底内，使得相邻两上述沟槽隔离区之间各定义出一主动区，其中上述主动区包括一N型主动区与一P型主动区；

一氮化物衬垫层，顺应性设置于上述N型主动区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间；

10一离子布植氮化物衬垫层，顺应性设置于上述P型主动区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间；

一N型通道晶体管，设置于上述N型主动区上方；以及

一P型通道晶体管，设置于上述P型主动区上方。

2.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特

15征在于：上述沟槽隔离区是由一氧化物所构成。

3.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于更包括：一氧化物衬垫层，顺应性设置于上述氮化物衬垫层与上述半导体基底之间。

4.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特

20征在于更包括：一氧化物衬垫层，顺应性设置于上述离子布植氮化物衬垫

层与上述半导体基底之间。

5.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于：上述氮化物衬垫层是由氮化硅所构成。

6.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特

25征在于：上述离子布植氮化物衬垫层是由被施以离子布植的氮化硅所构

200310101956.2权利要求书第2/6页

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成。

7.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于上述离子布植氮化物衬垫层所被施加的离子包括：硅(Si)离子、氮(N)离子、氦(He)离子、氖(Ne)离子、氩(Ar)、氙(Xe)或锗离子。

58.根据权利要求1所述的具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于：上述N型主动区的上述半导体基底表层具有一拉伸应变通道区。

9.根据权利要