CN1599072A 高速三维集成电路有源层结构及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410026388.9

[51]Int.Cl?

H01L27/12H01L27/092H01L21/84H01L21/82H01L21/8238

[43]公开日2005年3月23日[11]公开号CN1599072A

[22]申请日2004.8.9

[21]申请号200410026388.9

[71]申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号

[72]发明人张鹤鸣胡辉勇戴显英舒斌王喜媛朱国良王伟姜涛朱勇刚

[74]专利代理机构陕西电子工业专利事务所代理人王品华黎汉华

权利要求书1页说明书11页附图5页

[54]发明名称高速三维集成电路有源层结构及制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种高速三维集成电路有源层结构及制作方法，以提高现有三维集成电路的速度。其方案是分别采用单晶Si和SiGe/Si构建新的三维集成电路的两个有源层。其中，第一有源层采用SiSOI或Si衬底制作n型沟道MOS场效应晶体管nMOS;第二有源层采用SiGe/SiSOI衬底制作p型沟道MOS场效应晶体管pMOS。两层之间采用低温技术实现键合，且第二有源层材料及器件制作也在低温下完成，避免了高温过程对前序有源层器件结构的影响，保证了三维集成电路的交直流电学性能。本发明的有源层结构可用于制作三维CMOS集成电路，也可用于制作BiCMOS集成电路。基于SiGe/SipMOS场效应晶体管空穴迁移率高的特点，与现有三维集成电路相比，用本发明有源层制作的三维集成电路具有速度快和性能好的优点。

知识产权出版社出版

200410026388.9权利要求书第1/1页

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1.一种高速三维集成电路有源层结构，包括两层，其特征在于第一有源层采用SiSOI结构，即在绝缘层上的单晶硅衬底上制作nMOS场效应晶体管；第二有源层采用SiGe/SiSOI结构，即利用绝缘层上的单晶硅锗/硅制作pMOS场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的三维集成电路有源层结构，其特征在于第一有源层还可采用单晶硅衬底制作nMOS场效应晶体管的单晶Si结构；第二有源层仍采用SiGe/SiSOI结构，即利用绝缘层上的单晶硅锗/硅制作pMOS

场效应晶体管；

3.一种制作高速三维集成电路有源层的方法，按如下步骤进行：

(1)在SiSOI或Si衬底片上通过氧化、光刻、离子注入、金属化等工艺制作nMOS场效应晶体管及相互连线，完成第一有源层结构，并在该表面淀积SiO?介质层；

(2)对另一n型Si片进行氧化作为第二有源层的基体材料；

(3)对第二有源层的基体材料采用离子注入方法注入氢；

(4)采用化学机械抛光技术，分别对第一有源层和注入氢后的第二有源层基体材料表面氧化层进行抛光处理；

(5)对第一有源层和第二有源层基体材料的氧化层表面进行化学处理，然后将所述两者的氧化层面相对紧贴，置于超高真空环境中在380℃~450℃的温度中实现键合，以避免高温对第一有源层器件的影响；

(6)将键合后的基片温度升高，使第二有源层的基体材料在注入的氢处剥离，并对该断裂表面进行化学机械抛光；

(7)在抛光后的第二有源层的基体材料表面，先采用超高真空化学气相淀积技术外延表面沟道pMOS或量子阱沟道pMOS所需的SiGe/Si材料，然后通过低温淀积氧化层、光刻、离子注入、金属化等工艺制作pMOS器件及相互连线，完成第二有源层结构；

(8)将第一有源层的nMOS器件与第二有源层的pMOS器件进行连接，完成SiGe/Si有源层三维集成电路的制作。

200410026388.9说明书第1/11页

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高速三维集成电路有源层结构及制作方法

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种高速三维集成电路有源层的结构及制作方法。

背景技术

集成电路遵循Moore(注：莫尔-人名)定律特征尺寸连续减小，芯片的集成度、性能不断提高。进入深亚微米时代，芯片内部器件的互连变得越来越复杂，且互连线所占面积几乎与器件面积相等。因此，互连线寄生电阻、寄生