CN1697181A 互补金属氧化物半导体结构及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510069668.2

[51]Int.Cl?

H01L27/092

H01L21/8238

[43]公开日2005年11月16日[11]公开号CN1697181A

[22]申请日2005.5.10

[21]申请号200510069668.2

[30]优先权

[32]2004.5.14[33]US[31]10/845,719

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商

标事务所代理人王永刚

权利要求书3页说明书16页附图13页

[71]申请人地址

[72]发明人

国际商业机器公司

美国纽约

小内斯特·A.·伯加克祖克埃杜阿德·A.·卡特尔

马丁·M.·弗兰克爱维格尼·果塞弗撒普拉迪克·古哈维嘉·纳拉亚纳恩

[54]发明名称互补金属-氧化物-半导体结构及其制作方法

[57]摘要

提供了一种用于互补金属-氧化物-半导体(CMOS)结构中的绝缘中间层，用来防止不希望的阈值电压与平带电压的偏移。此绝缘中间层位于介电常数大于4.0的栅介电层与含Si栅极导体之间。本发明的绝缘中间层为任何金属氮化物，它也可可选地含氧，能够稳定阈值与平带电压。在优选实施方式中，绝缘中间层为氮化铝或氮氧化铝，栅介电层为氧化铪、铪硅酸盐或氮氧化硅铪。本发明对稳定p型场效应晶体管的阈值与平带电压是特别有效的。

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知识产权出版社出版

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1.一种互补金属-氧化物-半导体结构，包括：

半导体衬底，其中含有源和漏扩散区，所述源和漏扩散区被器件

5沟道隔开；以及

位于器件沟道上面的栅极叠层，所述栅极叠层包括高k栅介电层、绝缘中间层和含Si栅极导体，所述绝缘中间层位于所述高k栅介电层和含Si栅极导体之间，并能使此结构的阈值电压与平带电压稳定为目标值。

102.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述半导体衬底包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC、Ga、GaAs、InAs、InP、

其他Ⅲ/V或Ⅱ/VI族化合物半导体、有机半导体、或叠层半导体材料。

3.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述半导体衬底包括Si、SiGe、绝缘体上的硅或绝缘体上的锗硅。

154.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述半导体衬底掺有n型掺杂剂、p型掺杂剂或二者。

5.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述高k栅介电层包括氧化物、氮化物、氮氧化物或硅酸盐。

6.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述高k

20栅介电层包括HfO?、ZrO?、Al?O?、TiO?、La?O?、SrTiO?、LaAlO?、

Y?O?、SiO?、氮化的SiO?或硅酸盐、氮化物或其氮化的硅酸盐。

7.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述绝缘中间层包括绝缘金属氮化物。

8.权利要求7的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述金25属氮化物还含有氧。

9.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述绝缘中间层包括氮化铝(AIN)、氮氧化铝(AlONy)、氮化硼(BN)、

氮氧化硼(BONy)、氮化镓(GaN)、氮氧化镓(GaON)、氮化铟(InN)、氮氧化铟(InON)或其组合。

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10.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述绝缘中间层包括AIN或AlONy。

11.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述绝缘中间层的厚度为约1-25A。

512.权利要求1的互补金属-氧化物-半导体结构，其中，所述含Si栅极导体包括Si或SiGe合金。