CN1720356A 在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法 （单检索有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200380104762.6

[51]Int.Cl.

C30B28/02(2006.01)HO1L31/18(2006.01)

HO1L21/20(2006.01)

[43]公开日2006年1月11日[11]公开号CN1720356A

[22]申请日2003.10.7

[21]申请号200380104762.6

[30]优先权

[32]2002.10.8[33]AU[31]2002951838

[86]国际申请PCT/AU2003/0013132003.10.7

[87]国际公布WO2004/033769英2004.4.22

[85]进入国家阶段日期2005.6.1

[71]申请人单检索有限公司

地址澳大利亚新南威尔士

[72]发明人A·阿伯利P·I·怀登伯格A·斯特劳布D-H·纽豪斯0·哈特利N-P·哈德

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人蔡胜有

权利要求书10页说明书16页附图6页

[54]发明名称

在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法

[57]摘要

本发明提供一种在异质材料支撑衬底(21,22)上形成多晶半导体薄膜(26)的方法。所述方法涉及在衬底上沉积金属薄膜(23),在金属表面上形成金属氧化物和/或金属氢氧化物的薄膜(24),并且在金属氧化物和/或金属氢氧化物的薄膜上形成非晶半导体材料层(25)。整个样品被加热到一定温度，在所述温度下，半导体层被吸入到金属层，通过金属诱发晶化，在目标表面沉积成多晶层(26)金属作为覆盖层(27)覆盖在沉积的多晶层上，在金属层(29)中含有半导体内含物(28)。多晶半导体薄膜(26)和覆盖层(27)被氧化物和/或氢氧化物的多孔界面薄膜(30)隔开。覆盖层中的金属和金属氧化物和/或氢氧化物界面薄膜通过刻蚀去除，所述刻蚀将半导体包含物内刻蚀，形成独立的孤岛。最后，独立的半导体孤岛通过剥离过程从多晶半导体层表面被除去。本发明还提供一种使用多晶层作为

晶种层形成又一多晶层的方法。晶种层也可以是通过金属诱发结晶形成的多晶半导体层。晶种层的表面首先清洗去除任何氧化物或其它污染物，然后在洁净的晶种层表面生成半导体材料非晶层，加热衬底，晶种层和不定形层，使其通过固相外延结晶形成半导体材料。

200380104762.6权利要求书第1/10页

2

1.在异质支撑衬底上形成多晶半导体薄膜的方法，所述方法包

括：

i.在所述衬底的目标表面上沉积金属薄膜，在所述金属薄膜之上形成多晶半导体薄膜；

ii.在金属表面上形成金属氧化物和/或金属氢氧化物的薄膜；

iii.在金属氧化物和/或金属氢氧化物薄膜表面上形成非晶半导体材料层；

iv.将所述衬底、金属、金属氧化物和/或氢氧化物薄膜和半导体材料加热到一定温度，在所述温度下所述半导体层被吸收入金属层，并通过金属诱发结晶(MIC)沉积在目标表面形成多晶层，由此金属被剩余，形成覆盖层覆盖在沉积的多晶层上，所述金属层中包含有半导体内含物，且多晶半导体薄膜和覆盖层被多孔界面金属氧化物和/或金属氢氧化物薄膜隔开，而半导体内含物又通过所述多孔界面金属氧化物和/或金属氢氧化物相接触，

V.通过刻蚀方法去除覆盖层和界面金属氧化物和/或金属氢氧化物薄膜中的金属，该刻蚀过度刻蚀半导体内含物形成与多晶层微弱连接的孤岛，而不使位于下面的多晶半导体层显著减薄，

vi.通过剥离过程从多晶半导体层表面将半导体孤岛去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底提供平基底，半导体材料被支撑在所述基底上。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中支撑半导体材料的表面具有纹理，用于帮助半导体材料中的光陷阱。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中所述衬底包括衬底材料片，预备层被沉积在其上，且目标表面是预备层的表面。

200380104762.6权利要求书第2/10页

3

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述预备层为氮化硅、铝氧化物或硅氧化物薄膜。