CN1729582A 包含半导体平台结构和导电结的电子器件和所述器件的制作方法 （克里公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200380107070.7

[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)HO1S5/00(2006.01)

[43]公开日2006年2月1日[11]公开号CN1729582A

[22]申请日2003.12.18

[21]申请号200380107070.7

[30]优先权

[32]2002.12.20[33]US[31]60/434,999

[32]2002.12.20[33]US[31]60/435,213

[32]2002.12.20[33]US[31]60/434,914

[32]2002.12.20[33]US[31]60/435,211

[86]国际申请PCT/US2003/0404832003.12.18

[87]国际公布WO2004/059706英2004.7.15

[85]进入国家阶段日期2005.6.20

[71]申请人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

[72]发明人M·J·伯格曼恩D·T·埃梅森

A·C·阿巴雷K·W·哈伯雷恩

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人张雪梅梁永

权利要求书8页说明书15页附图2页

[54]发明名称

包含半导体平台结构和导电结的电子器件和所述器件的制作方法

[57]摘要

一种电子器件，包含衬底和衬底上的半导体平台。所述器件平台具有毗邻衬底的平台底部、与衬底相对的平台表面、以及位于平台表面和平台底部之间的平台侧壁。此外，该半导体平台在平台底部和结之间具有第一导电类型，该结位于平台底部和平台表面之间，且该半导体平台在该结和平台表面之间具有第二导电类型。此外也讨论了相关的制造方法。

200380107070.7权利要求书第1/8页

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1.一种发光器件，包括：

碳化硅衬底；以及

衬底上的半导体结构，该半导体结构包含平台，该平台具有毗邻

5衬底的平台底部、与衬底相对的平台表面、以及平台表面和平台底部之间的平台侧壁，其中该半导体结构在毗邻碳化硅衬底处具有第一导电类型，其中该半导体结构在毗邻平台表面处具有第二导电类型，其中该半导体结构具有位于第一和第二导电类型之间的结，并且其中该平台设计成为半导体结构中的发光器件提供电流限制或光学限制中的

10至少一种。

2.根据权利要求1的发光器件，其中结位于平台底部和平台表面之间。

3.根据权利要求2的发光器件，其中结与平台底部的距离不大于约5微米。

154.根据权利要求2的发光器件，其中结与平台底部的距离不大于约0.75微米。

5.根据权利要求2的发光器件，其中结与平台底部的距离至少为约0.05微米。

6.根据权利要求5的发光器件，其中结与平台底部的距离至少

20为约0.1微米。

7.根据权利要求1的发光器件，其中半导体结构包含位于平台底部和碳化硅衬底之间的半导体基层，其中结位于与碳化硅衬底相对的基层表面和碳化硅衬底之间。

8.根据权利要求7的发光器件，其中结到与碳化硅衬底相对的

25基层表面的距离不大于约0.4微米。

9.根据权利要求8的发光器件，其中结到与衬底相对的基层表面的距离不大于约0.2微米。

10.根据权利要求7的发光器件，其中结到与衬底相对的基层表面的距离至少为约0.05微米。

3011.根据权利要求10的发光器件，其中结到与衬底相对的基层表面的距离至少为约0.1微米。

12.根据权利要求1的发光器件，其中半导体结构包含Ⅲ-V族半

200380107070.7权利要求书第2/8页

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导体材料。

13.一种制作发光器件的方法，该方法包括：

形成碳化硅衬底；以及

在衬底上形成半导体结构，该半导体结构包括平台，该平台具有

5毗邻衬底的平台底部、与衬底相对的平台表面、以及位于平台表面和平台底部之间的平台侧壁，其中该半导体结构在与碳化硅衬底相邻处具有第一导电类型，其中该半导体结构在与平台表面相邻处具有第二