CN1534801A 白光发光二极管及其制作方法 （威凯科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl?

H01L33/00

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号7

[43]公开日2004年10月6日[11]公开号CN1534801A

[22]申请日2003.3.27[21]申请7

[71]申请人威凯科技股份有限公司地址台湾省新竹科学工业园区

[72]发明人赖穆人刘家呈章炯煜

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公

司

代理人王一斌

权利要求书3页说明书14页附图6页

[54]发明名称白光发光二极管及其制作方法

[57]摘要

本发明是揭露一种白光发光二极管及其制作方法，此二极管包含一第一导电性电极、一基底、一第一发光部分、二层呈梯度变化的缓冲层区(BGa?-xP及InGa?-xN)、一第二发光部分及一第二导电性电极。当外加一电位差于第二导电性电极流及该第一导电性电极之间时，产生一电流，此电流通过该第二发光部分、缓冲层区及一第一发光部分，使该第一发光部分活性层发出第一波长范围的光线、该第二发光部分活性层发出第二波长范围的光线，利用此第一波长范围的光线及第二波长范围的光线混合获致白光。

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知识产权出版社出版7权利要求书第1/3页

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1.一种白光发光二极管，其至少包括：

一第一导电性电极；

一基底，与上述第一导电性电极形成电接触；

5一第一发光部分第一型束缚层、一第一发光部分活性层及一第一发光

部分第二型束缚层依序形成于上述基底上，且构成第一发光部分；

一第一缓冲层区形成于上述第一发光部分第二型束缚层之上，该第一缓冲层区是由一层或一层以上的缓冲层所构成；

一第二发光部分第一型束缚层、一第二发光部分活性层及一第二发光

10部分第二型束缚层依序形成于上述第一缓冲层区上，且构成第二发光部分；以及

一第二导电性电极与上述第二发光部分第二型束缚层形成电接触，

当外加一电位差于第二导电性电极流及该第一导电性电极之间时，产生一电流，此电流通过第二发光部分、缓冲层区、及第一发光部分，使

15该第一发光部分活性层发出第一波长范围的光线、该第二发光部分活性层发出第二波长范围的光线，且借由该第一波长范围的光线及第二波长范围的光线混合获致白光。

2.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其中上述基底及上述第一发光部分第一型束缚层之间更存在一第二缓冲层。

203.根据权利要求2所述的白光发光二极管，其中上述第一缓冲层及上述第二缓冲层的上下接面晶格常数分别匹配于上述第一发光部分第二型束缚层表面、上述第二发光部分第一型束缚层底部、上述基底表面及上述第一发光部分第一型束缚层底部的晶格常数。

4.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其中

25上述基底包括砷化镓(GaAs)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)7权利要求书第2/3页

3

或碳化硅(3C-sic);

上述第一发光部分及第二发光部分包括磷化铝镓铟(A1GaInP)是化合物；以及

上述第一或第二缓冲层区是包括一由BGa(1-x)P及In,Ga(1-y)N所构成，

5其中0≤x≤1、0≤y≤1。

5.一种白光发光二极管的制作方法，至少包括下列步骤：

提供一基底，其与一第一导电性电极接触；

依序形成一第一发光部分第一型束缚层、一第一发光部分活性层及一第一发光部分第二型束缚层于上述基底上，以构成第一发光部分；

10形成一缓冲层区于上述第一发光部分第二型束缚层之上；

依序形成一第二发光部分第一型束缚层、一第二发光部分活性层及一第二发光部分第二型束缚层于上述缓冲层区上，以构成第二发光部分；以及

形成一第二导电性电极于上述第二发光部分第二型束缚层部分表面

15上。

6.根据权利要求5所述白光发光二极管的制作方法，其中上述基底及上述