CN1652295A 一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法 （统宝光电股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410003267.2

[51]Int.Cl?

H01L21/00

H01L21/20

H01L21/324

[43]公开日2005年8月10日[11]公开号CN1652295A

[22]申请日2004.2.3

[21]申请号200410003267.2

[71]申请人统宝光电股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业区苗栗县[72]发明人林敬伟

[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇

权利要求书2页说明书13页附图8页

[54]发明名称一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法

[57]摘要

本发明提供一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法。该方法首先形成一非晶硅图形，该非晶硅图形包括有一第一、第二区域，至少一紧邻该第二区域具有一第二高度的第一尖端区域，至少一位于该第一区域以及该些第一尖端区域间的第四区域，该些第四区域具有一小于该第二高度的第四高度，进行一激光结晶工艺，于该些第四区域之内结晶成一第一单晶硅晶粒。

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知识产权出版社出版

200410003267.2权利要求书第1/2页

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1.一种利用激光结晶工艺制作一硅薄膜的方法，该方法包括下列步骤：提供一衬底，该衬底上包括一非晶硅图形，且该非晶硅图形包括两个

5相对的一第一侧面以及一第二侧面，该非晶硅图形包括：

一第一区域，该第一区域由该第一侧面向该第二侧面的方向延伸，且该第一区域具有一第一高度、一第一宽度以及一第一长度；

一第二区域，该第二区域由该第二侧面向该第一侧面的方向延伸，且该第二区域具有一第一高度、一第一宽度以及一第一长度；

10至少一第一尖端区域，该些第一尖端区域紧邻该第二区域并朝向该第一侧面的方向延伸，该些第一尖端区域具有一第二高度、一第二最大宽度以及一第二最大长度，且该第二高度小于该第一高度；

一第三区域，该第三区域位于该第一区域以及该第二区域之间，该些第一尖端区域位于该第三区域之上，且该第三区域具有一第三高度、一第

15三宽度以及一第三长度，该第三高度小于该第一高度；以及

至少一第四区域，该些第四区域位于该第一区域以及该些第一尖端区域之间之该第三区域之上，该些第四区域具有一第四高度、一第四宽度以及一第四长度，且该第四高度小于该第二高度，该第四宽度小于该第三宽度；以及

20进行一激光结晶工艺，以使与该些第四区域相邻接的该些第一尖端区域内的一非晶硅籽晶成长，于该些第四区域之内结晶成一第一单晶硅晶粒。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一高度等于该第二高度以及该第三高度的总和。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第三宽度等于该第一宽度。

254.如权利要求1所述的方法，其中该第一区域以及该些第四区域之间还包括一第二尖端区域，且该些第二尖端区域具有一第五高度、一第五最大宽度以及一第五最大长度。

5.如权利要求4所述的方法，其中该第一高度等于该第五高度以及该第三高度的总和，且该第三高度小于该第四高度。

306.如权利要求4所述的方法，其中于进行该激光结晶工艺时，与该些第四区域相邻接的该些第二尖端区域内的一非晶硅籽晶成长，于该些第四

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区域之内结晶成一第二单晶硅晶粒。

7.如权利要求1所述的方法，其中该激光结晶工艺利用一激光照射该非晶硅图形，以使该些第四区域内的该非晶硅薄膜达到完全熔融状态，并使该些第一尖端区域内的该非晶硅薄膜达到部分熔融状态后，再由与该些

5第四区域相邻接的该些第一尖端区域内的残余固态硅作为一晶核做超侧向成长。

8.如权利要求7所述的方法，其中该第三高度小于该第四高度，于利用一激光照射该非晶硅图形之后，未被该些第四区域以及该些第一尖端区域所覆盖的该第三区域的温度较该些第四区域的温度高，提供该些晶核由

10该些第四区域向未被该些第四区域以及该些第一尖端区域所覆盖的该第三区域成长。

9.如权利要求8所述的方法，其