CN1800891A 高性能抗辐射石英光纤及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200610023286.0

[51]Int.Cl.

G02B6/02(2006.01)

G02B1/00(2006.01)

C03B37/018(2006.01)

[43]公开日2006年7月12日[11]公开号CN1800891A

[22]申请日2006.1.12

[21]申请号200610023286.0

[71]申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号[72]发明人王廷云陈振宜

[74]专利代理机构上海上大专利事务所代理人何文欣

权利要求书1页说明书3页附图1页

[54]发明名称

高性能抗辐射石英光纤及其制作方法

[57]摘要

3本发明涉及一种高性能抗辐射石英光纤及其制作方法。本发明的高性能抗辐射石英光纤，它由纯石英纤芯、纯石英掺氟内包层和纯石英掺铈外包层组成。本光纤的制作方法是采用MCVD、OVD制棒技术制作的光纤预制棒，然后将其进行拉丝制作成本光纤。本发明的高性能抗辐射石英光纤既可用于常规的光通信系统的信息传输，又可在辐射环境下，作为抗辐射光纤保持正常的信息通信。它具有抗辐射能力强、传输损耗低的特点，可广泛应用于航空航天、核工业、军事等辐射相关领域的光纤通信和光纤传感之用。

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200610023286.0权利要求书第1/1页

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1.一种高性能抗辐射石英光纤，由纤芯(1)和包层组成，其特征在于纤芯(1)的材料是纯石英，包层由内包层(2)和外包层(3)组成，内包层(2)的材料是纯石英掺杂氟材料，而外包层(3)的材料是纯石英掺杂铈材料。

2.根据权利要求1所述的高性能抗辐射石英光纤，其特征在于所述的纤芯(1)的纯石英材料是高纯度的石英材料；所述的内包层(2)的纯石英掺杂氟材料是以纯石英为基质掺杂180~400ppm的氟；所述的外包层(3)的纯石英掺杂铈材料是以纯石英为基质掺杂1000~9000ppm的铈。

3.一种根据权利要求1所述的高性能抗辐射石英光纤的制作方法，其特征在于用气相沉积法(MCVD)在MCVD制棒机上依次直接以气相沉积方式制成外包层

(3)、内包层(2)和纤芯(1),最后缩棒形成光纤预制棒，然后再进行拉丝制成光纤。

4.一种根据权利要求1所述的高性能抗辐射石英光纤的制作方法，其特征在于用管外沉积法(OVD)在OVD制棒机上依次直接以气相沉积方式制成纤芯(1)、内包层(2)和外包层(3),最后形成光纤预制棒，然后再进行拉丝制成光纤。

200610023286.0说明书第1/3页

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高性能抗辐射石英光纤及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种石英光纤及其制作方法，特别是一种高性能抗辐射石英光纤及其制作方法，属光纤技术领域。

背景技术

光纤越来越广泛地应用于航空航天、核工业、军事等辐射相关领域，特别是光纤在辐射环境下能否正常通信，对军事尤为重要。而常规纤芯掺锗石英光纤，由于在辐射状态下传输损耗明显增加，如在3×103Gy、3.5小时的Y射线照射下，单模光纤约有30dB/km的辐射感应损耗，所以，不适合这些领域的应用。为此，研制抗辐射光纤成为国际研究和开发的热点。

抗辐射光纤是指能够抵御由于原子辐射、Y射线、X射线、紫外线照射所产生传输性能下降的光纤。辐射使光纤传输能力下降是由于辐射在石英光纤中产生的色心，即原子缺陷所致。这些色心主要与光纤中所含的杂质及光纤本身的初始原子缺陷有关。前者会使辐射产生的部分自由电子被光纤内的一些着色正离子(如Fe、Ni、Pb等)俘获，还原并形成新的色心，这些色心降低光纤传输能力；而后者是高能量的辐射粒子切断具有初始原子缺陷的=Si—0—Si三键，从而形成了E′色心(=Si·)和非桥键氧空心色心(NBOHC,=Si—0·等(这里，=Si代表在石英玻璃材料的网状组织中一个硅原子与三个氧原子的结合，·代表不成对的自旋电子)。其中，前一种因素产生的色心可以通过采用高纯度的石英加以解决；后一种因素在于如何减少初始的原子缺陷，使光纤在辐射条件下产生少的断键色心。

针对以上这些科学和制备技术问题，国外从八十年代到现在一直在从事抗辐射光