CN1773740A 集成热电冷却器件及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510082038.9

[51]Int.Cl.

HO1L35/00(2006.01)

HO1L21/70(2006.01)

HO1L27/00(2006.01)

HO1L23/38(2006.01)

HO1L25/00(2006.01)

[43]公开日2006年5月17日[11]公开号CN1773740A

[22]申请日2005.7.5

[21]申请号200510082038.9

[30]优先权

[32]2004.11.12[33]US[31]10/988,015

[71]申请人国际商业机器公司地址美国纽约

[72]发明人陈浩朱兆凡许履尘

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人秦晨

权利要求书5页说明书14页附图8页

[54]发明名称

集成热电冷却器件及其制作方法

210

210

207,

205a205b

209

2032006本发明给出了半导体集成热电器件，利用半导体薄膜和VLSI(超大规模集成)制作工艺形成，具有高密度热电(TE)元件阵列。热电器件可以，例如，单独形成并与半导体芯片键合，也可以集成形成在半导体芯片的无源表面中。

203

2006

200510082038.9权利要求书第1/5页

2

1.用于制作热电器件的方法，包含：

在衬底上形成台阶结构图形，台阶结构由绝缘材料形成；

5在衬底表面和台阶结构之上形成TE(热电)材料共形层；由台阶结构的侧壁上的TE材料形成TE元件；以及

在TE元件之间形成互连。

2.根据权利要求1的方法，其中利用自对准镶嵌工艺形成台阶结构图形。

103.根据权利要求1的方法，其中形成台阶结构图形包含：

在衬底上形成一层第一绝缘材料；

在第一绝缘材料层中形成凹坑图形；

用第二绝缘材料填充凹坑；

除去第一绝缘材料以在衬底上形成台阶结构图形，台阶结构由第15二绝缘材料形成。

4.根据权利要求3的方法，其中第一绝缘材料厚度为大约.1微米至大约1微米。

5.根据权利要求1的方法，其中TE材料层由非本征合金半导体材料形成。

206.根据权利要求1的方法，其中TE材料层由SiGe形成。

7.根据权利要求1的方法，其中TE材料共形层厚度在大约0.5微米至大约5微米范围。

8.根据权利要求1的方法，其中形成TE元件包含用n型和p型材料掺杂每个台阶结构的侧壁上的TE材料从而每个台阶结构包含

25形成于其上的一个TE元件对。

9.根据权利要求1的方法，进一步包含在形成一层TE材料之前在台阶结构上形成锥形侧壁。

10.根据权利要求9的方法，其中形成TE元件包含：

进行第一倾角注入工艺以用n型材料掺杂每个台阶结构的第一

200510082038.9权利要求书第2/5页

3

侧壁上的TE材料；以及

进行第二倾角注入工艺以用p型材料掺杂每个台阶结构的第二侧壁上的TE材料，

其中每个台阶结构包含形成于其上的一个TE元件对。

511.根据权利要求1的方法，其中在相邻TE元件之间形成互连包含形成金属硅化物互连。

12.根据权利要求11的方法，其中金属硅化物互连利用自对准硅化工艺来形成。

13.根据权利要求12的方法，其中自对准硅化工艺包含：

10在TE元件上形成垫层；

在垫层和TE材料层的暴露区域上沉积一层金属；

进行退火工艺将TE材料层与金属层接触的区域转变成金属硅化物；以及

除去金属层的未反应区域。

1514.根据权利要求13的方法，其中在TE元件上形成垫层包含：

在TE材料层上沉积