CN1905178B 线路组件结构及其制作方法 （米辑电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1905178B

(45)授权公告日2010.09.22

(21)申请号200610099176.2

(22)申请日2006.07.31

(30)优先权数据

60/703,9332005.07.29US

60/703,9322005.07.29US

11/383,7622006.05.17US

(73)专利权人米辑电子股份有限公司地址中国台湾

(72)发明人林茂雄罗心荣周秋明周健康陈科宏

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨

(51)Int.CI.

HO1L23/485(2006.01)

HO1L21/60(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

(56)对比文件

US2003/0189261A1,2003.10.09,说明书第2页第18段至第2页22段，附图1-3.

CN1314225A,2001.09.26,说明书第4页第7行至第11行，附图1A.

CN1574345A,2005.02.02,说明书第4页第8行至第25,附图2-3.

US2003/0222295A1,2003.12.04,说明书第6页第97段至第7页第103段，附图5a-5c.

US2004/0164409A1,2004.08.26,说明书第3页26段至第4页31段，附图2.

US2004/0007779A1,2004.01.15,说明书第3页第31段，第33段、38-39段至第4页第51段，附图5至10.

US2004/0070042A1,2004.04.15,说明书第2页第54段至第55段，附图3.

审查员杨永

权利要求书3页说明书25页附图100页

(54)发明名称

线路组件结构及其制作方法

(57)摘要

CN1905178B本发明涉及一种线路组件结构及其制作方法，其结构在此半导体基底的顶部表面上设有至少一接垫；一保护层(passivationlayer)是位于半导体基底的顶部表面上，且位于此保护层内的至少一开口暴露出接垫；及一金属层是堆

CN1905178B

202a-

202a-6

CN1905178B权利要求书1/3页

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1.一种线路组件结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一介电层，位于该半导体基底之上；

一线路层，位于该介电层之上，且该线路层包括铜金属；

一无机保护层，位于该介电层上方以及位于该线路层上方；

一铜接垫，位于该线路层上方，且该无机保护层位于该铜接垫旁；

一阻障层，包覆该铜接垫的下表面及侧壁，且该阻障层的材质为钽、氮化钽或氮化钛；

一氮硅化合物层，位于该无机保护层的上表面之上以及位于该铜接垫的部分上表面之上，且该铜接垫位于该氮硅化合物层内的一开口下；

一第一金属层，位于该铜接垫上以及位于该开口内，且该第一金属层的材质为钛、氮化钛或钛钨合金；

一第二金属层，位于该第一金属层上，且该第二金属层的材质为铝；

一第三金属层，位于该第二金属层上，且该第三金属层的材质为钛、氮化钛、钛钨合金、铬铜合金、钽或氮化钽；以及

一铜层，位于该第三金属层上，该铜层接触该第三金属层，且该铜层经由该第三金属层、该第二金属层及该第一金属层连接该铜接垫。

2.根据如权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该介电层包括介电常数值(k)介于1.5至3之间的材质。

3.根据如权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该半导体基底为硅基底。

4.根据如权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，该无机保护层的材质为氮硅化合物。

5.根据如权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括厚度介于0.1微米至10微米之间的一金层，该金层位于该铜层上方但未接触该铜层，且该金层经由该铜层连接该铜接垫。

6.根据如权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于，还包括一金氧半导体组件，该半导体基底承载该金氧半导体组件。

7.一种线路组件结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一介电层，位于该半导体基底之上；

一线路层，位于该介电层之上，且该线路层包括铜金属；

一无机保护层，位于该介电层上方