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- 2026-02-18 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公开说明书
[21]申请号200610009269.1
[51]Int.Cl.
HO1L27/12(2006.01)HO1L23/522(2006.01)HO1L21/84(2006.01)HO1L21/768(2006.01)GO2F1/133(2006.01)
[43]公开日2006年9月13日[11]公开号CN1832177A
[22]申请日2006.2.15
[21]申请号200610009269.1
[71]申请人友达光电股份有限公司地址台湾省新竹市
[72]发明人林祥麟
[74]专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波侯宇
权利要求书7页说明书11页附图18页
[54]发明名称
像素结构和液晶显示器及其制作方法
[57]摘要
一种像素结构适用于液晶显示器,包括扫描线、数据线、薄膜晶体管设置于基板上,且薄膜晶体管具有源极连接数据线、栅极连接扫描线,遮蔽电极设置于基板上,其中遮蔽电极、源极及漏极由同一金属层构成,而数据线由两层以上非同一时间形成的金属图案层电性相连而成,以及,像素电极覆盖部份遮蔽电极且电连接于漏极。
200610009269.1权利要求书第1/7页
2
1.一种像素结构,适用于液晶显示器,包括:
至少一扫描线,沿着第一方向设置于基板上;
至少一连接电极,沿着第二方向设置于该基板上;
至少一第一数据线区段及至少一第二数据线区段,沿着该第二方向设置于该基板上,该第一数据线区段透过该连接电极电连接于该第二数据线区段,用以形成至少一数据线,且该扫描线与该数据线相交;
至少一薄膜晶体管,其具有栅极、源极及漏极,该源极电连接于该数据线,该栅极电连接于该扫描线;
至少一遮蔽电极,设置于该基板上,且其具有主要部份,该主要部份沿着该第二方向平行于该数据线,其中该遮蔽电极、该源极及该漏极由同一金属层所构成,而该数据线由两层以上非同一时间形成的多个金属图案层电性相连而成;以及
像素电极,设置于基板上,并覆盖部份该遮蔽电极,且其电连接于该漏极;
其中,该遮蔽电极平行于该数据线的部份,是位于该像素电极和该数据线之间,且该遮蔽电极与该像素电极和该数据线至少间隔一介电层。
2.如权利要求1所述的像素结构,其中该像素电极及其覆盖部份该遮蔽电极构成储存电容。
3.如权利要求1所述的像素结构,其中该遮蔽电极还包括至少一子部份,该子部份用以连接于该主要部份。
4.一种像素结构,适用于液晶显示器,包括:
像素电极;
至少一数据线,沿着第一方向设置于基板上;
至少一扫描线,沿着第二方向设置于该基板上,该扫描线与该数据线相交;
至少一薄膜晶体管,其具有栅极、源极及漏极,该栅极电连接于该扫描线,该源极电连接于该数据线,该漏极电连接于该像素电极;以及
至少一遮蔽电极,具有主要部份,该主要部份沿着该第二方向平行于该数据线,且其覆盖部份像素电极,其中该遮蔽电极及该扫描线由同一金属层
200610009269.1权利要求书第2/7页
3
所构成;
其中,该遮蔽电极平行于该数据线的部份,位于该像素电极和该数据线之间,且该遮蔽电极与该像素电极和该数据线至少间隔一介电层。
5.如权利要求4所述的像素结构,其中该遮蔽电极及其覆盖部份该像素电极构成储存电容。
6.如权利要求4所述的像素结构,其中该遮蔽电极还包括至少一子部份,用以连接于该主要部份。
7.一种液晶显示器,包括:
至少一扫描线、至少一连接电极,分别沿着第一方向及第二方向形成于基板上;
至少一绝缘层,形成该基板上,且覆盖该扫描线及该连接电极,其中位于连接电极上的该绝缘层具有至少一第一孔洞,以曝露出部份该连接电极;
至少一通道层,形成于该绝缘层上,且其位于该扫描线上;
至少一欧姆接触图案层,形成于该通道层上;
至少一金属层,其包括第一部分、第二部分、第三部份,分别形成于该欧姆接触图案层上、该绝缘层上及该第一孔洞中,且该金属层的该第一部份于该扫描线上定义为源极/漏极,用以形成薄膜晶体管,该金属层的该第二部份于该绝缘层上定义为至少一遮蔽电极,该遮蔽电极至少具有一主部份沿第二方向平行该连接电极,
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