CN101017792A 一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L21/768(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710037619.X

[43]公开日2007年8月15日[11]公开号CN101017792A

[22]申请日2007.2.16

[21]申请号200710037619.X

[71]申请人上海集成电路研发中心有限公司

地址201203上海市张江高科技园区碧波路

177号华虹科技园4楼B区

[72]发明人康晓旭

[74]专利代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁

权利要求书1页说明书4页附图6页

[54]发明名称

一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法

[57]摘要

在已制备有晶体管的晶围上淀积金属前介质层和第一层金属间介质层光刻并刻蚀出接触孔822使所迷有机物平坦化光制并刻恼出第一层金属沟槽淀积扩散阻挡层通过电化学镀的方法淀积金属例52通过化学机械抛光来形成相连的接触孔插塞和第一层金属本发明涉及一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法。现有的接触孔插塞和第一层金属分开制作且分别使用钨和铝(或铜),已满足不了器件特征尺寸的不断减小的需求，另外制作步骤繁多致使生产效率低下。本发明的方法首先在已制备有晶体管的晶圆上淀积金属前介质层和第一层金属间介质层；接着光刻并刻蚀出接触孔；然后向接触孔中填充有

在已制备有晶体管的晶围上

淀积金属前介质层和第一层

金属间介质层

光刻并刻蚀出接触孔

822

使所迷有机物平坦化

光制并刻恼出第一层金属沟槽

淀积扩散阻挡层

通过电化学镀的方法淀积金属例

52

通过化学机械抛光来形成

相连的接触孔插塞和第一

层金属

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1、一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)、在已制备有晶体管的晶圆上淀积金属前介质层和第一层金属间介质

层；

(2)、光刻并刻蚀出接触孔；

(3)、向接触孔中填充有机物并使该有机物平坦化；

(4)、光刻并刻蚀出第一层金属沟槽；

(5)、淀积扩散阻挡层；

(6)、通过电化学镀的方法来淀积金属；

(7)、通过化学机械抛光来形成接触孔插塞和第一层金属。

2、如权利要求1所述的接触孔插塞和第一层金属的制作方法，其特征在于，该接触孔插塞和第一层金属均为铜。

3、如权利要求1所述的接触孔插塞和第一层金属的制作方法，其特征在于，在步骤(1)中，通过化学气相沉积的方法来淀积金属前介质层和第一层金属间介质层。

4、如权利要求1所述的接触孔插塞和第一层金属的制作方法，其特征在于，金属前介质层和第一层金属间介质为不同材质。

5、如权利要求1所述的接触孔插塞和第一层金属的制作方法，其特征在于，在步骤(4)中，通过调节刻蚀选择比来控制刻蚀深度。

6、如权利要求1所述的接触孔插塞和第一层金属的制作方法，其特征在于，在步骤(5)中，通过原子层淀积方法淀积扩散阻挡层和金属的籽晶层。

200710037619.X说明书第1/4页

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一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种接触孔插塞和第一层金属的制作方法。

背景技术

现有的接触孔插塞和第一层金属的材质分别为钨和铝(或铜),其制作时是分开进行的。配合参见图1,接触孔插塞15a、15b和15c和第一层金属17的制作方法具体包括以下步骤：在已制备有栅极10、源极11和漏极12的衬底1上淀积一金属前介质层13且对其进行化学机械抛光；光刻并刻蚀出接触孔(未图示);在接触孔上淀积扩散阻挡层14a;通过化学气相沉积(CVD)金属钨并在接触孔内形成钨插塞15a、15b和15c;通过化学机械抛光使钨插塞15a、15b和15c与金属前介质层13等高；在金属前介质层13上淀积第一层金属间介质层16;然后，光刻并刻蚀出第一层金属沟槽(未图示);在第一层金属沟槽上淀积扩散阻挡层14b;淀积金属(例如为铝)并通过干法刻蚀或化学机械抛光去除多余的金属而形成第一层金属17。

但是，上述接触孔插塞和第一层金属分别使用电阻率较高的钨和铝制成，致使半导体器件的互连电阻无法满足半导