CN100587854C 一种硅探针的制作方法 （大连理工大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200810011267.5

[45]授权公告日2010年2月3日

[51]Int.Cl.

G12B21/08(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100587854C

[22]申请日2008.4.30

[21]申请号200810011267.5

[73]专利权人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

[72]发明人崔岩石二磊夏劲松王立鼎

[56]参考文献

CN1391234A2003.1.15

W12003.11.20US5595942A1997.1.21

CN1587024A2005.3.2

[74]专利代理机构大连理工大学专利中心代理人关慧贞

审查员卜冬泉

权利要求书2页说明书6页附图3页

[54]发明名称

一种硅探针的制作方法

[57]摘要

本发明一种硅探针的制作方法属于测试技术领域，涉及到原子力显微镜探针的制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法制作探针，首先采用光刻法形成硅尖掩模，然后干法刻蚀梁至一定的深度，接着采用湿法同步腐蚀硅尖和梁，硅尖削尖后，从背面干法刻蚀释放梁，最后采用溅射或蒸发的方法在探针背面镀金属层增强光的反射率；湿法腐蚀中采用氢氧化钾溶液各向异性腐蚀硅尖，不同浓度的氢氧化钾溶液，得到不同纵横比的硅尖。采用单晶硅，成本较低，工艺简单；用该方法制作出的探针可以用于原子力显微镜。

200810011267.5权利要求书第1/2页

2

1.一种硅探针的制作方法，其特征是，采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法制作探针，首先采用光刻法形成硅尖掩模，然后干法刻蚀梁至一定的深度，接着采用湿法同步腐蚀硅尖和梁，硅尖削尖后，从背面干法刻蚀释放梁，最后采用溅射或蒸发的方法在探针背面镀金属层增强光的反射率；具体通过以下工艺步骤来实现：

1)采用热氧化法，在单晶硅(1)的上表面上通过氧化形成二氧化硅层(2)和在单晶硅的下表面上通过氧化形成二氧化硅层(3);

2)采用光刻法，在单晶硅下表面二氧化硅层(3)上形成矩形窗口(a);

3)采用氢氧化钾和异丙醇混合液腐蚀矩形窗口(a)至一定的深度，形成浅硅杯形(a);

4)采用光刻法，在单晶硅上表面二氧化硅层(2)上形成方形硅尖掩模(2′);

5)在单晶硅(1)的上表面均匀涂光刻胶(4),采用光刻法在光刻胶(4)上形成U形窗口(b);

6)采用干法刻蚀的方法，在单晶硅(1)的上表面刻蚀U形窗口(b)至一定的深度，形成横截面为矩形的矩形梁(b′),然后去除光刻胶(4);

7)采用湿法腐蚀的方法，用氢氧化钾溶液各向异性腐蚀单晶硅(1)的上表面，在方形硅尖掩模(2′)处形成硅尖(d),当针尖直径达到预定值时，浅硅杯形(a)同步腐蚀成为深硅杯形(a′),矩形梁(b′)也同步向下腐蚀一定的深度，其侧壁由于发生快腐蚀形成横截面为梯形的梯形梁(b),同时单晶硅(1)的上表面形成台阶(c)以保护硅尖(d);

8)采用硝酸、氢氟酸和醋酸的混合溶液抛光硅尖(d),接着在低温960℃条件下氧化削尖硅尖(d);

9)在稀释的氢氟酸和氟化铵混合溶液中腐蚀硅尖上低温氧化的二氧化硅层(2′);

10)采用干法刻蚀的方法，从背面刻蚀深硅杯形(a),从而释放梯形梁(b′),使其成为悬臂梁(b);

11)在稀释的氢氟酸和氟化铵混合溶液中腐蚀上表面二氧化硅层(2)和下表面二氧化硅层(3);

12)采用溅射或蒸发的方法，在探针的背面镀金属层(5)以增强光的反射率。

200810011267.5权利要求书第2/2页

3

2.如权利要求1所述的一种硅探针的制作方法，其特征在于，湿法腐蚀中采用氢氧化钾溶液各向异性腐蚀硅尖，不同浓度的氢氧化钾溶液，得到不同纵横比的硅尖，采用浓度为25%~40%掺入异丙醇的氢氧化钾溶液腐蚀，得到的针尖纵横比为0.4~0.6;采用浓度32%~36%的氢氧化钾溶液腐蚀，得到的针尖纵横比为0.5~2;采用浓度40%~50%的氢氧化钾溶液腐蚀，得到的针尖纵横比大于2。

200810011267.5