CN101542758B 垂直发光二极管及其使用触止层制作垂直发光二极管的方法 （香港应用科技研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101542758B

(45)授权公告日2012.05.23

(21)申请号200880000033.9

(22)申请日2008.06.16

(30)优先权数据

11/891,4662007.08.10US

12/058,0592008.03.28US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2008.06.23

(86)PCT申请的申请数据

PCT/CN2008/0713222008.06.16

(87)PCT申请的公布数据

WO2009/021416EN2009.02.19

(73)专利权人香港应用科技研究院有限公司

地址中国香港新界沙田香港科学园科技大

道西二号生物资讯中心三楼

(72)发明人褚宏深蔡勇

(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223

代理人江耀纯

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2006.01)

(56)对比文件

CN1510765A,2004.07.07,全文.

CN1505843A,2004.06.16,全文.

CN1638159A,2005.07.13,全文.

JP特开2007-158334A,2007.06.21,全文.US5977565A,1999.11.02,全文.

审查员闫立刚

权利要求书2页说明书7页附图6页

(54)发明名称

垂直发光二极管及其使用触止层制作垂直发光二极管的方法

(57)摘要

CN101542758B本发明提供了一个使用触止层的垂直结构氮化镓基LED及其制作垂直氮化镓基LED的方法。本发明实施例使用机械去削和多个超硬触止点而高确定性地去除外延层。依照一个实施例，制作一个垂直LED的方法包括在蓝宝石基板上形成多个层，在多个层里形成多个触止点，使用机械去削去除蓝宝石基板和部分u-GaN层，其中机械去削在多个触止点的末端停止，选择性地蚀刻u-GaN层，露出至少一部分高掺杂的触止层，并在高掺杂的

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CN101542758B权利要求书1/2页

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1.一个垂直结构GaN基LED,包括：

一个传导基板；

一个在传导基板上形成的p-型GaN层；

一个在p-型GaN层上形成的活性层；

一个在活性层上形成的n-型GaN层；

一个在n-型GaN上形成的高掺杂的触止层；

多个触止点，其中p-型GaN层、活性层、n-型GaN层、以及高掺杂的触止层是多个层，多个触止点形成在多个层里；和

一个在高掺杂的触止层上形成的n-电极。

2.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基LED,其中高掺杂的触止层是一个或多个AlInGaN层。

3.根据权利要求2所述的垂直结构GaN基LED,其中AlInGaN的成分是AlIn,Ga(1-x-y)

N。

4.根据权利要求3所述的垂直结构GaN基LED,其中x小于或等于0.35。

5.根据权利要求3所述的垂直结构GaN基LED,其中y小于或等于0.1。

6.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基LED,其中高掺杂的触止层是一个或多个AlGaN层。

7.根据权利要求6所述的垂直结构GaN基LED,其中A1GaN的成分是AlGa(1-x)N。

8.根据权利要求7所述的垂直结构GaN基LED,其中x小于或等于0.35。

9.根据权利要求7所述的垂直结构GaN基LED,其中A1GaN层的厚度小于或等于

0.2μm。

10.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基LED,其中高掺杂的触止层是一个A1N/GaN超晶格结构。

11.根据权利要求10所述的垂直结构GaN基LED,其中A1N/GaN超晶格结构包括两对或多对A1N和GaN层。

12.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基LED,其中高掺杂的触止层有一个大于le17(1/cm3)的掺杂浓度。

13.根据权利要求1所述的垂直结构GaN基LED,其中多个触止点的硬度大于蓝宝石基板的硬度。

14.一个垂直结构GaN