CN101589460B SiGe异质结双极晶体管及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101589460B

(45)授权公告日2011.07.20

(21)申请号200680031187.5

(22)申请日2006.08.25

(30)优先权数据

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

21/331(2006.01)31/072(2006.01)

11/212,1872005.08.26US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2008.02.26

(86)PCT申请的申请数据

PCT/US2006/0335822006.08.25

(87)PCT申请的公布数据

WO2007/025259EN2007.03.01

(73)专利权人国际商业机器公司地址美国纽约

(72)发明人杜里塞蒂·奇达姆巴拉奥

托马斯·N·亚当

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

(56)对比文件

WO02/101810A1,2002.12.19,全文.

CN1427463A,2003.07.02,全文.

CN1165404A,1997.11.19,全文.

US6552375B2,2003.04.22,说明书第5栏第49行-第8栏第44行、附图2-18.

审查员杨春光

11105

代理人张波

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

SiGe异质结双极晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN101589460B本发明涉及具有其中有含SiGe层的基极区域的高效异质结双极晶体管(HBT)。含SiGe层不超过约100nm厚并具有预定的临界锗含量。含SiGe层还具有不小于预定临界锗含量的80%的平均锗含量。本发明还涉及提高具有含SiGe层基极层的HBT中的载流子迁移率的方法，该方法通过均匀增加基极层中的锗含量使得其中的平均锗含量不小于临界锗含量的80%,临界锗含量是基于基极层的厚度计算的，假设基极层不大于

CN101589460B

锗含量

(%)

集电极基极发射极

集电极

基极

24-

22-

深度

CN101589460B权利要求书1/2页

2

1.一种异质结双极晶体管，包括集电极区域、基极区域、非本征基极区域、以及发射极区域，其中所述基极区域包括含SiGe层，其中所述含SiGe层具有不大于100nm的厚度和与所述厚度相关的预定临界锗含量，其中所述含SiGe层的预定临界锗含量不小于10atomic%,以及其中所述含SiGe层具有不小于预定临界锗含量的80%的平均锗含量的锗含量分布。

2.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层的锗含量分布是台阶式的或渐变的，且其中所述含SiGe层中的平均锗含量通过在整个含SiGe层上对锗含量积分，以确定层内的积分锗含量，并且将所述积分锗含量除以所述层的厚度而确定。

3.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层中的平均锗含量不小于所述预定临界锗含量的90%。

4.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层中的平均锗含量不小于所述预定临界锗含量的95%。

5.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层中的平均锗含量不小于所述预定临界锗含量的99%。

6.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述含SiGe层具有不大于50nm的厚度，且其中所述含SiGe层的预定临界锗含量不小于17atomic%。

7.如权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中所述基极区域包括两个外延半导体层，且其中所述含SiGe层夹置在所述两个外延半导体层之间。

8.如权利要求7所述的异质结双极晶体管，其中所述两个外延半导体层都本质上由硅构成。

9.一种提高具有不大于100nm的厚度的含SiGe基极层的异质结双极晶体管的载流子迁移率的方法，同时没有改变所述基极层的准稳态漂移电场，包括：

测量所述含SiGe基极层的厚度；

基于所述含SiGe基极层的厚度计算临界锗含量，其中所述含SiGe基极层的计算的临界锗含量不小于约10atomic%;

测量所述含SiGe基极层中的锗含量以确定所述含SiGe基极层的锗含量分布；以及

通过以足够的量均匀地增加所述含SiGe基极层中的锗含量来改变所述含SiGe层的锗含量