CN101595568B 薄膜半导体装置的制作方法及薄膜半导体装置 （索尼株式会社）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101595568B

(45)授权公告日2011.07.13

(21)申请号200880003389.8

(22)申请日2008.01.28

(30)优先权数据

01745401.29JP

(85)PCT申请进入国家阶段日

2009.07.29

(86)PCT申请的申请数据

PCT/JP2008/0516962008.01.28

(87)PCT申请的公布数据

WO2008/093854JA2008.08.07

(73)专利权人索尼株式会社地址日本东京都

专利权人独立行政法人理化学研究所

(72)发明人野本和正平井畅一安田亮一八木岩三成刚生塚越一仁

青柳克信

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

(51)Int.CI.

HO1L29/786(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L51/05(2006.01)

(56)对比文件

CN1881549A,2006.12.20,全文.

JP

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特开2005-251809特开2005-228968特开2006-278638特开2005-175386

A,2005.09.15,全文.

A,2005.08.25,全文.A,2006.10.12,全文.A,2005.06.30,附图

1、说明书第[0015]-[0027],[0040]-[0044]段.

Gundlach,D.J..PentaceneTFTwith

improvedlinearregioncharacteristicsusingchemicallymodifiedsourceand

drainelectrodes.《ElectronDeviceLetters,IEEE.》.2001,第22卷(第12期),571-573.

审查员季茂源

11105

代理人彭久云

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

薄膜半导体装置的制作方法及薄膜半导体装置

(57)摘要

CN101595568B提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层

CN101595568B

(8)

(4)

(6)

CN101595568B权利要求书1/2页

2

1.一种薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

在形成覆盖基板上的栅极电极的第一栅极绝缘膜并在该第一栅极绝缘膜上形成成对的源极/漏极电极之后，

仅在从该源极/漏极电极露出的该第一栅极绝缘膜上选择性地形成第二栅极绝缘膜，并且

形成薄膜半导体层，该薄膜半导体层从该源极/漏极电极到该第二栅极绝缘膜连续覆盖并与该源极/漏极电极接触，

其中，该第二栅极绝缘膜通过气相沉积形成，并且

在该源极/漏极电极上该第二栅极绝缘膜的气相沉积的孕育时间期间，该第二栅极绝缘膜仅气相沉积在该第一栅极绝缘膜上。

2.根据权利要求1所述的薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

由聚对二甲苯的衍生物构成的该第二栅极绝缘膜的气相沉积在采用有机材料构成的该第一栅极绝缘膜和采用金属材料构成的该源极/漏极电极的暴露表面上进行。

3.一种薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：

在形成覆盖基板上的栅极电极的第一栅极绝缘膜并在该第一栅极绝缘膜上形成成对的源极/漏极电极之后，

仅在从该源极/漏极电极露出的该第一栅极绝缘膜上选择性地形成第二栅极绝缘膜，并且

形成薄膜半导体层，该薄膜半导体层从该源极/漏极电极到该第二栅极绝缘膜连续覆盖并与该源极/漏极电极接触，

其中，该第二栅极绝缘膜通过涂敷