CN101592626A 准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法 （苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910030340.8

[51]Int.Cl.

G01N27/327(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

B82B1/00(2006.01)

B81B1/00(2006.01)

B81C5/00(2006.01)

[43]公开日2009年12月2日[11]公开号CN101592626A

[22]申请日2009.3.19

[21]申请号200910030340.8

[71]申请人苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215125江苏省苏州市工业园区独墅湖

高教区若水路398号

[72]发明人张蓓蓓苏瑞巩刘海滨李宁程国胜

[74]专利代理机构南京苏科专利代理有限责任公司

代理人陈忠辉

权利要求书3页说明书14页附图3页

[54]发明名称

准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及制作方法，传感器包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电沟道。其工艺是：先合成准一维金属氧化物半导体纳米材料；再采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管；利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道；最后对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性，通过自组装的方法修饰与目标分子结合的连接物单分子层，通过连接物分子在纳米材料表面连接生物分子，用以检测疾病的标志性分子。具有快速响应、灵敏度高、选择性强、无标记分子等特点。

200910030340.8权利要求书第1/3页

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1.准一维金属氧化物纳米材料生物传感器，包括硅片、生长于硅片上的二氧化硅氧化层、栅极、源极、漏极和微流体通道，其特征在于：由准一维金属氧化物半导体纳米材料连接源极和漏极，构成导电沟道；所述准一维金属氧化物半导体纳米材料的表面通过自组装修饰有与目标分子结合的连接物单分子层，所述连接物单分子层与生物探针分子连接；另外，由所述微流体通道掩盖栅极、源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器，其特征在于：所述准一维金属氧化物半导体纳米材料为单根或者是由多根组成的阵列。

3.根据权利要求1或2所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器，其特征在于：所述准一维金属氧化物半导体纳米材料是纳米线、或纳米棒、或纳米管、或纳米带。

4.根据权利要求1或2所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器，其特征在于：所述准一维金属氧化物半导体纳米材料由ZnO、TiO?、In?O?、GeO?中的至少两种金属氧化物半导体合成。

5.权利要求1所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)合成准一维金属氧化物半导体纳米材料；

(2)采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管；

(3)利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道；

(4)对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性，通过自组装的方法修饰与目标分子结合的连接物单分子层，通过连接物分子在纳米

200910030340.8权利要求书第2/3页

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材料表面连接生物分子，用以检测疾病的标志性分子。

6.根据权利要求5所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的制作方法，其特征在于：所述准一维金属氧化物半导体纳米材料的合成采用溶剂热方法或CVD方法合成。

7.根据权利要求5所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的制作方法，其特征在于：所述采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管，具体步骤为：

1)清洗硅片，并通过热生长的方法在硅片表面形成一层100～400纳米厚度的二氧化硅氧化层；

2)通过深紫外光刻的方法制作出背栅电极位置，用5:1氢氟酸缓冲液腐蚀二氧化硅得到背栅；

3)将准一维金属氧化物半导体纳米材料用异丙醇制成悬液，