CN101789479A 透明电极发光二极管及其制作方法 （上海大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101789479A

(43)申请公布日2010.07.28

(21)申请号201010102725.3

(22)申请日2010.01.29

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人王书方张建华

(74)专利代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)31205

代理人何文欣

(51)Int.CI.

HO1L33/42(2010.01)

HO1L33/38(2010.01)

权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

透明电极发光二极管及其制作方法

(57)摘要

CN101789479A本发明涉及一种透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD),其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；氧化锌基透明电流扩展层是利用磁控溅射方法沉积在p型氮化镓表面；用湿法刻蚀将氧化锌透明导电层腐蚀掉，再利用干法刻蚀将n型氮