CN101798059A 一种硅基纳米孔的制作方法 （清华大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101798059A

(43)申请公布日2010.08.11

(21)申请号201010140180.5

(22)申请日2010.04.06

(71)申请人清华大学

地址100084北京市100084信箱82分箱清

华大学专利办公室

(72)发明人司卫华刘泽文

(74)专利代理机构西安智大知识产权代理事务所61215

代理人贾玉健

(51)Int.CI.

B82B3/00(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图2页

(54)发明名称

一种硅基纳米孔的制作方法

(57)摘要

一种硅基纳米孔的制作方法，包括以下步骤：

CN101798059A一、在硅衬底上覆盖有保护材料和顶层保护材料，用微细加工技术将需要在硅衬底上刻蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底的表面；二、在硅衬底的表面运用深反应离子刻蚀DRIE的方法刻蚀出垂直的柱状孔；三、在柱状孔的表面涂上光刻胶；四、采用湿法腐蚀，利用氢氧化钾碱性溶液，从柱状孔末端往下继续腐蚀，使得腐蚀出的斜面与水平面的夹角为53.7°,最后得到尺寸可控的硅纳米孔，本发明为原子束的表

CN101798059A

CN101798059A权利要求书1/1页

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1.一种硅基纳米孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、在硅衬底(1)上覆盖保护材料(2)和顶层保护材料(3),保护材料(2)采用溅射的铬层，厚度为300nm,顶层保护材料(3)采用溅射的铝层，厚度为300nm,用微细加工技术将需要在硅衬底(1)上刻蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底(1)的表面；

二、在硅衬底(1)的表面运用深反应离子刻蚀DRIE的方法刻蚀出垂直的柱状孔，刻蚀的深度取决于所用硅片的厚度和所要制作的硅纳米孔之间的距离，根据硅各向异性湿法腐蚀的特性和所要制作的硅纳米孔之间的距离，可以得到湿法腐蚀的深度，深反应离子刻蚀DRIE刻蚀的深度为硅片的厚度减去湿法腐蚀的深度；

三、在柱状孔的表面(6)涂上光刻胶(5);

四、采用湿法腐蚀，利用浓度为30%的氢氧化钾碱性溶液，从柱状孔末端往下继续腐蚀，使得腐蚀出的斜面(4)与水平面的夹角为53.7°,最后得到尺寸可控的硅纳米孔(7)。

CN101798059A说明书1/2页

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一种硅基纳米孔的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及硅表面加工技术以及深加工技术领域，特别涉及用于原子光刻的一种硅基纳米孔的制作方法。

背景技术

[0002]在纳米制造领域中，原子光学技术的应用是一个新兴的研究领域，可提供多种制造纳米尺度材料的方法。大量基础原子光学的研究提供了许多不同的操纵自由中性原子的方法。现在研究的主要方向是在原子趋近表面时原子移动的控制，目的是在基板表面上构造任意的纳米结构。制作不同尺寸的纳米孔、纳米级条纹、点阵或者所需要的特定图案可以用来进行原子移动控制。

[0003]目前关于硅基纳米孔的制作并没有一个非常好的方法，这主要是由硅基纳米孔本身的特点决定的。在半导体行业用的普通硅片的厚度在几百微米左右，要想在硅片上形成纳米量级的孔或者条纹，在技术上要有非常精确的控制。现有的纳米孔或者纳米筛的制作主要采用合成法。Mintova等人利用原位水热晶化法首次得到了粒径分布均匀的Silicalite-1纳米分子筛晶粒[文献1:MintovaS,MoS,BeinT.[J].NanosizedAlP04-5molecularsievesandultrathinfilmspreparedbymicrowavesynthesis.Chem.Mater,1998,10(12):4030～4036],该方法操作过程简单，不需要特殊的装置，但是该方法制备的分子筛晶体尺寸和取向控制的重现性差，要获得致密无针孔的膜，至少需要几微米的厚度，因而导致了温变时极易产生龟裂，甚至脱落。Xu等人应用微波加热技术成功地合成了NaA型分子筛膜[文献2:XuXC,Yang