摘要
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在复杂辐射环境中,高能粒子轰击时序电路的敏感节点时,粒子入射轨迹上
产生的电荷会引起敏感节点电压的瞬态变化,进而导致软错误。工艺尺寸缩小和
供电电压降低使节点临界电荷显著下降,导致较小的电荷量也能够引发节点逻辑
值的改变。此外,在粒子撞击和电荷共享效应的作用下,锁存器电路愈加容易发
生双节点或三节点翻转。这一现象对航空航天等领域产生了极大的影响,严重制
约了相关技术的发展。因此,针对IC中的单粒子效应进行加固
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